氧化锆CMP抛光液
基于纳米氧化锆的CMP（化学机械平坦化）抛光液，专为半导体晶圆抛光设计。粒径小于80nm，pH可调，实现STI、氧化物CMP及先进节点平坦化的精确材料去除控制。
技术规格
| abrasive | 纳米ZrO₂ |
| ph range | pH 3 – 10（可调） |
| filtration | 0.2 μm过滤 |
| shelf life | ≥ 6个月 |
| selectivity | 可定制SiO₂:Si₃N₄选择比 |
| removal rate | 可通过配方调节（SiO₂上100 – 500 nm/min） |
| particle size | d50 < 80 nm |
| solid content | 5 – 30 wt%（可调） |
应用领域
- STI（浅沟槽隔离）抛光
- 氧化层去除及平坦化
- 先进节点（≤7nm）CMP工艺
- ILD（层间介质）抛光
- 光学玻璃及蓝宝石精加工
产品特点
- 粒径小于80nm，实现无缺陷平坦化
- pH宽范围可调（3–10），满足多种工艺需求
- 分散稳定性优异，保质期≥6个月
- 抛光表面划伤和缺陷数极低
- 固含量和选择比可定制，便于工艺集成
