semiconductor etching chemicals

六氟化钨CVD前驱体（WF6）

CAS: 7783-82-6

六氟化钨（WF6）是沉积钨金属薄膜的标准CVD前驱体，用于DRAM和NAND闪存中的接触插塞、局部互连和字线。与SiH4（成核层）反应后经H2还原，WF6沉积高纯度、低电阻率钨金属，以优异的无空洞覆盖率填充100nm以下接触孔。

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晶圆清洗SC-2试剂（HCl/H2O2/H2O）

RCA SC-2（标准清洗2，HPM：盐酸-双氧水混合液）使用HCl:H2O2:H2O（1:1:6体积比），在65–80°C下通过金属氯化物络合物形成去除硅晶圆表面碱金属（Na、K）和重金属污染（Au、Cu、Fe）。SC-2是标准RCA清洗序列的第二步，在SC-1之后进行，以实现高完整性栅极氧化物所需的亚ppb金属水平。