半导体蚀刻化学品
共 50 个产品
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semiconductor etching chemicals
半导体级丙酮（光刻胶去除）
CAS: 67-64-1
半导体级丙酮是超纯酮类溶剂，用于溶解去除光刻胶、清洗晶圆表面有机残留物，以及MEMS和化合物半导体工艺中的剥离图形。其快速挥发速率和强溶解力使其在湿法刻蚀前能快速去除光刻胶。
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氯化铝ALD前驱体（AlCl3）
CAS: 7446-70-0
无水氯化铝（AlCl3）用作ALD（原子层沉积）前驱体，在半导体器件中沉积Al2O3高k介质和含铝薄膜。在ALD工艺中，交替暴露AlCl3和水（或臭氧）产生具有单层级厚度控制的保形Al2O3薄膜，对栅极介质、电容器介质和封装层至关重要。
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半导体级氨气（NH3氮化物CVD）
CAS: 7664-41-7
半导体级氨气（NH3）是CVD和ALD沉积氮化硅（Si3N4）、氮化钛（TiN）、氮化铝（AlN）和氮化镓（GaN）薄膜的氮源。在与DCS或硅烷的LPCVD和PECVD工艺中，NH3生成保形氮化物薄膜，在整个IC制造中用作刻蚀停止层、扩散阻挡层和钝化层。
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半导体级氟化铵溶液（NH4F 40%）
CAS: 12125-01-8
半导体级氟化铵（40%水溶液）是缓冲氧化物刻蚀（BOE）配方及氮化硅刻蚀化学品的关键成分，超高纯度确保晶圆表面金属污染极低，也可用作多种湿法工艺槽液的pH缓冲剂和氟离子来源。
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半导体级氢氧化铵（NH4OH SC-1清洗）
CAS: 1336-21-6
半导体级氢氧化铵（28–30% NH3）是RCA SC-1清洗液（NH4OH/H2O2/H2O）的关键成分，用于去除硅晶圆的颗粒和有机污染物，也能轻微刻蚀氧化硅以使颗粒脱落。超高纯度防止在关键栅前氧化清洗中引入金属污染。
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氩气溅射气体（Ar超纯级）
CAS: 7440-37-1
超纯氩气（Ar）是半导体制造中物理气相沉积（PVD）、离子束刻蚀和等离子体刻蚀工艺的主要溅射和载气。氩离子被加速轰击金属和介质靶材，用于薄膜沉积（Al、Cu、Ti、TiN、TaN），或进行氩离子研磨，在III-V族和磁性器件制造中进行图形化定义。
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底部抗反射涂层（BARC）
底部抗反射涂层（BARC）是旋涂在光刻胶下方的有机或无机层，用于抑制UV和DUV光刻过程中因基板反射率引起的驻波和反射凹陷。通过调节薄膜厚度和折射率（n, k），BARC最大限度减少光刻胶/基板界面处的反射光，改善大批量生产中的CD均匀性、分辨率和焦深。
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缓冲氧化物刻蚀液（BOE）NH4F/HF
CAS: 7664-39-3
缓冲氧化物刻蚀液（BOE）是氟化铵（NH4F）与氢氟酸（HF）的混合液，可提供稳定可控的二氧化硅刻蚀速率。氟化铵缓冲剂维持稳定pH并补充氟离子，相比纯HF具有更均匀、可重复的氧化物刻蚀速率，广泛用于MEMS、CMOS及显示面板制造工艺。
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CMP氧化铈研磨液（CeO2磨粒）
CAS: 1306-38-3
CMP氧化铈（CeO2）研磨液为STI和ILD工艺提供超高氧化物去除速率和出色的平坦化效率。氧化铈磨粒通过Ce-O-Si键合与SiO2发生化学反应，与硅石研磨液相比，在更低压力下实现更高去除速率。对氮化硅的高选择比使氧化铈成为先进逻辑节点STI CMP的首选磨粒。
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CMP抛光垫金刚石修整盘
CMP抛光垫修整盘采用不锈钢基板上电镀或钎焊金刚石磨粒，在晶圆平坦化过程中持续修整和再纹理化CMP抛光垫。定期修整去除老化垫面并恢复微凸体结构，确保稳定的研磨液输送和去除速率。对于维持垫间和晶圆间去除速率均匀性至关重要。
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CMP二氧化硅研磨液（气相/胶体SiO2）
CAS: 7631-86-9
CMP二氧化硅研磨液含有高度分散的气相或胶体二氧化硅磨粒的水性介质，用于层间介质（ILD）、浅沟槽隔离（STI）和多晶硅层的化学机械平坦化。机械研磨和化学氧化溶解的结合实现了多层金属互连制造所需的全局平坦度。
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四氟化碳等离子体刻蚀气体（CF4）
CAS: 75-73-0
四氟化碳（CF4）是用于干法刻蚀工艺中刻蚀氧化硅、氮化硅和硅的多功能等离子体刻蚀气体。与氧气混合时，以高选择比刻蚀SiO2；单独或与H2混合时，用于各向异性硅和氮化物刻蚀。CF4也用作腔室清洁气体和CVD反应器远程等离子体清洁气体。
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大马士革工艺铜电镀硫酸铜（CuSO4）
CAS: 7758-98-7
半导体级五水硫酸铜（CuSO4·5H2O）是大马士革和双大马士革铜互连制造中酸性电镀槽的主要铜离子来源。与硫酸、氯离子及有机添加剂（加速剂、抑制剂、整平剂）配合使用，可实现先进BEOL工艺中高深宽比通孔和沟槽的超填充（底部向上填充）。
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二氯硅烷CVD前驱体（DCS，SiH2Cl2）
CAS: 4109-96-0
二氯硅烷（DCS，SiH2Cl2）是在LPCVD工艺中沉积高质量氮化硅（Si3N4）、氮氧化硅（SiON）和多晶硅薄膜的广泛使用CVD前驱体。DCS/NH3化学品在750–800°C下生成具有优异均匀性和电学性质的化学计量Si3N4薄膜，用于DRAM和闪存中的栅极侧墙、刻蚀停止层和电荷存储层。
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半导体级二甲基亚砜（DMSO）
CAS: 67-68-5
半导体级二甲基亚砜（DMSO）是极性非质子溶剂，用于光刻胶剥离配方，特别是作为胺类助溶剂以增强刻蚀后和灰化后聚合物残留物的去除。与NMP相比，其高极性和低毒性使其在先进节点BEOL清洗化学品中越来越受青睐。
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EUV极紫外光刻胶聚合物
EUV光刻胶是化学放大或含金属的光刻胶聚合物，针对7nm以下逻辑和存储器器件图形化的13.5nm极紫外（EUV）光刻进行优化。这些先进光刻胶必须平衡灵敏度、分辨率和线边缘粗糙度（LWR/LER）之间的矛盾需求。含金属EUV光刻胶（Sn基或Hf基）与有机CAR平台相比，具有更高的EUV吸收率和更好的分辨率。
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边缘胶珠去除剂（EBR）晶圆边缘溶剂
边缘胶珠去除剂（EBR）是精确配制的溶剂混合物，用于溶解去除旋涂过程中在晶圆边缘积聚的光刻胶珠。EBR在光刻胶涂布后立即分配到旋转晶圆的正面边缘（前EBR）或背面边缘（后EBR），防止边缘胶珠污染后续光刻步骤中的晶圆传送设备和卡盘。
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化学镀镍次磷酸钠（NaH2PO2）
CAS: 7681-53-0
次磷酸钠一水合物（NaH2PO2·H2O）是化学镀镍（EN）槽液中的还原剂，无需外部电流即可实现镍磷合金的自催化沉积。在半导体封装中，ENIG（化学镍浸金）和ENEPIG表面处理依赖次磷酸钠基EN槽液，为PCB和基板提供可焊接、可引线键合、耐腐蚀的表面。
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乙二醇单丁醚（EGBE）显影溶剂
CAS: 111-76-2
半导体级乙二醇单丁醚（EGBE，也称丁基溶纤剂）用作光刻胶显影液配方的助溶剂及设备和夹具清洗剂。其适中的挥发速率以及与水性碱性显影液的兼容性，有助于优化显影液在晶圆表面的铺展和均匀性。
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氰化金钾电镀液（KAu(CN)2）
CAS: 13967-50-5
氰化金钾（KAu(CN)2）是半导体金电镀槽中的主要金盐，用于引线键合焊盘电镀、连接器触点精饰和光电器件金属化。稳定的氰化物络合物提供光滑、光亮的金沉积层，具有优异的引线键合性和耐腐蚀性，可用于酸性和中性pH槽液配方。
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六甲基二硅氮烷（HMDS）附着力促进剂
CAS: 999-97-3
六甲基二硅氮烷（HMDS）是半导体光刻中通用的光刻胶附着力促进剂。在光刻胶涂布前通过气相预处理或旋涂方式施加，HMDS与表面OH基反应形成疏水三甲基甲硅烷基（TMS）单层，显著提高光刻胶在氧化物和氮化物表面的附着力，防止显影过程中图案脱落。
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半导体级盐酸（HCl 37%）
CAS: 7647-01-0
半导体级盐酸（37%）是RCA SC-2清洗中去除金属离子和氧化层的关键化学品，能与重金属形成络合物并将其从晶圆表面去除，用于HCl/H2O2/H2O（SC-2）混合液以在氧化炉工艺前消除碱金属和重金属污染。
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半导体级氢氟酸（HF 49%）
CAS: 7664-39-3
半导体级氢氟酸（49% HF）是用于氧化硅刻蚀、自然氧化层去除及晶圆表面清洗的超纯水溶液，符合SEMI C1或C8纯度规格，金属杂质含量低至亚ppb级别，是IC制造前段工艺湿法刻蚀的关键化学品。
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半导体级双氧水（H2O2 30%）
CAS: 7722-84-1
半导体级双氧水（30%）是RCA SC-1和SC-2晶圆清洗工艺中去除有机物和离子污染的关键氧化剂。与氢氧化铵混合（SC-1）可去除颗粒和有机物；与HCl混合（SC-2）可溶解金属离子；也是SPM食人鱼清洗液的关键成分。
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