四氟化碳等离子体刻蚀气体（CF4）
CAS 编号: 75-73-0
四氟化碳（CF4）是用于干法刻蚀工艺中刻蚀氧化硅、氮化硅和硅的多功能等离子体刻蚀气体。与氧气混合时，以高选择比刻蚀SiO2；单独或与H2混合时，用于各向异性硅和氮化物刻蚀。CF4也用作腔室清洁气体和CVD反应器远程等离子体清洁气体。
技术规格
| 外观 | 无色无味气体 |
| 氧气 | ≤2 ppm |
| 氮气 | ≤5 ppm |
| 水分 | ≤1 ppm |
| 含量（%） | ≥99.999（5N半导体级） |
应用领域
- SiO2和Si3N4等离子体刻蚀（与O2或H2）
- 硅等离子体刻蚀和表面清洁
- CVD腔室远程等离子体清洁
- CMOS中接触孔和通孔氧化物刻蚀
- 化合物半导体（GaAs、InP）干法刻蚀
产品特点
- 多功能刻蚀化学品，兼容氧化物、氮化物和硅工艺
- 通过添加O2（更高氧化物选择性）或H2（更高氮化物选择性）可调选择性
- 在某些低刻蚀速率应用中GWP低于SF6
- 不易燃、无毒，比氟基刻蚀剂更易处理