六氟化硫硅等离子体刻蚀气体（SF6）
CAS 编号: 2551-62-4
六氟化硫（SF6）是高氟含量气体，广泛用作硅等离子体刻蚀工艺的主要刻蚀剂，包括MEMS深反应离子刻蚀（DRIE）、硅沟槽刻蚀和多晶硅栅极图形化。在Bosch DRIE工艺中，SF6与C4F8钝化循环交替，以垂直侧壁实现超深高深宽比硅沟槽。
技术规格
| 外观 | 无色无味气体 |
| 氧气 | ≤1 ppm |
| 水分 | ≤1 ppm |
| 含量（%） | ≥99.999（5N半导体级） |
| CF4及其他氟碳化合物 | ≤5 ppm |
应用领域
- Bosch DRIE深硅沟槽刻蚀（MEMS）
- 释放结构的硅各向同性等离子体刻蚀
- 多晶硅栅极和硬掩膜刻蚀
- TSV（硅通孔）刻蚀
- 等离子体切割硅晶圆划片
产品特点
- 等离子体中高氟原子产率，实现快速硅刻蚀速率（DRIE >10 µm/min）
- 低压刻蚀中对SiO2和光刻胶掩模具有优异选择性
- Bosch工艺关键气体，实现>50:1深宽比MEMS结构
- 液化高压钢瓶供货，适用于高产量DRIE设备