半导体级氨气（NH3氮化物CVD）
CAS 编号: 7664-41-7
半导体级氨气（NH3）是CVD和ALD沉积氮化硅（Si3N4）、氮化钛（TiN）、氮化铝（AlN）和氮化镓（GaN）薄膜的氮源。在与DCS或硅烷的LPCVD和PECVD工艺中，NH3生成保形氮化物薄膜，在整个IC制造中用作刻蚀停止层、扩散阻挡层和钝化层。
技术规格
| 外观 | 无色气体，有特征性气味 |
| 氧气 | ≤0.1 ppm |
| 水分 | ≤0.1 ppm |
| 金属杂质 | 各项≤0.01 ppb |
| 含量（%） | ≥99.9999（6N半导体级） |
应用领域
- 与DCS或SiH4进行LPCVD/PECVD Si3N4沉积
- 与TiCl4进行TiN ALD氮源
- GaN和AlN外延生长（MOCVD）
- 硅氧化物氮化制备氮氧化硅栅极
- 金属化后退火（PMA）形成气替代品
产品特点
- 6N超高纯度，用于无缺陷氮化物薄膜沉积
- 超低水分防止氮化薄膜中意外引入氧化物
- 与批量LPCVD炉和单片晶圆PECVD腔室兼容
- 提供液态散装供应和高压钢瓶，满足晶圆厂需求