硅烷（单硅烷）CVD前驱体（SiH4）
CAS 编号: 7803-62-5
单硅烷（SiH4）是用于沉积多晶硅栅极、外延硅、PECVD氮化硅（与NH3）、PECVD氧化硅（与N2O/O2）和非晶硅薄膜的基础硅CVD前驱体，也是钨CVD（WF6/SiH4）和半导体行业硅基介质沉积工艺的成核前驱体。
技术规格
| 外观 | 无色可燃气体 |
| 氧气 | ≤0.1 ppm |
| 水分 | ≤0.1 ppm |
| 金属杂质 | 各项≤0.01 ppb |
| 含量（%） | ≥99.9999（6N半导体级） |
应用领域
- 多晶硅栅极和电阻CVD沉积
- PECVD SiN和SiO2钝化层和ILD
- 外延硅层生长（SiH4/H2）
- 钨CVD成核层（WF6/SiH4）
- 非晶硅TFT有源层（显示器）
产品特点
- 6N超高纯度，用于低缺陷密度多晶硅和外延薄膜
- 自燃气体，需专业处理；配备安全吹扫管件供货
- 低水分和氧气确保清晰薄膜界面和低固定电荷
- 提供高压钢瓶和管束车，适用于高耗量晶圆厂