正硅酸四乙酯（TEOS）CVD前驱体
CAS 编号: 78-10-4
正硅酸四乙酯（TEOS，Si(OC2H5)4）是半导体制造中CVD二氧化硅沉积的主流前驱体。基于TEOS的PECVD和SACVD工艺在300–750°C下沉积具有优异台阶覆盖和保形性的高质量SiO2薄膜。TEOS氧化物在CMOS前段和后段工艺中用作ILD、STI衬垫、侧墙和硬掩膜。
技术规格
| 外观 | 无色透明液体 |
| 沸点 | 168°C |
| 水分含量 | ≤10 ppm |
| 金属杂质 | 各项≤0.1 ppb |
| 含量（%） | ≥99.999（5N，半导体级） |
应用领域
- BEOL的PECVD SiO2 ILD沉积
- 次常压CVD（SACVD）TEOS间隙填充
- STI沟槽衬垫和填充氧化物
- CMOS栅极工艺中的侧墙和侧壁氧化物
- 刻蚀图形化硬掩膜沉积
产品特点
- 5N纯度适用于高可靠性栅极和隧道氧化物应用
- 稳定液态前驱体，低蒸气压便于精确流量控制
- 生成致密、低缺陷SiO2，具有优异电学性能
- 与O3、O2和N2O氧化剂化学品兼容，适用于多种CVD工艺