氯化铝ALD前驱体（AlCl3）
CAS 编号: 7446-70-0
无水氯化铝（AlCl3）用作ALD（原子层沉积）前驱体，在半导体器件中沉积Al2O3高k介质和含铝薄膜。在ALD工艺中，交替暴露AlCl3和水（或臭氧）产生具有单层级厚度控制的保形Al2O3薄膜，对栅极介质、电容器介质和封装层至关重要。
技术规格
| 外观 | 白色至淡黄色结晶粉末 |
| 升华点 | 178°C（1 atm） |
| 水分含量 | ≤10 ppm |
| 含量（%） | ≥99.999（5N，无水） |
| 金属杂质（Fe、Si、Na） | 各项≤0.5 ppm |
应用领域
- Al2O3高k栅极介质ALD
- DRAM电容器Al2O3介质沉积
- OLED和柔性电子器件封装层
- Al2O3刻蚀停止层和阻挡层
- 选择性ALD的催化表面制备
产品特点
- 5N超高纯度，用于无缺陷高k介质ALD薄膜
- 高蒸气压简化了中等温度（100–150°C）下的输送
- 生成致密Al2O3，界面态密度低
- 惰性气氛下安瓿瓶包装，无污染输送