CMP氧化铈研磨液（CeO2磨粒）
CAS 编号: 1306-38-3
CMP氧化铈（CeO2）研磨液为STI和ILD工艺提供超高氧化物去除速率和出色的平坦化效率。氧化铈磨粒通过Ce-O-Si键合与SiO2发生化学反应，与硅石研磨液相比，在更低压力下实现更高去除速率。对氮化硅的高选择比使氧化铈成为先进逻辑节点STI CMP的首选磨粒。
技术规格
| 外观 | 白色至淡黄色胶体悬浮液 |
| pH（25°C） | 4–8（可调节） |
| 含量（%） | ≥99.9（CeO2含量） |
| 粒径（D50） | 100–300 nm |
| 去除速率（SiO2） | 500–3000 Å/min（取决于工艺） |
应用领域
- 高氧化物对氮化物选择比的STI CMP
- ILD（PMD/IMD）快速氧化物平坦化
- 预金属介质（PMD）CMP
- 先进节点高k/金属栅极CMP
- 光学玻璃和陶瓷基板抛光
产品特点
- 化学-机械协同作用，去除速率比硅石研磨液高5–10倍
- 可调STI选择比（氧化物:氮化物）从5:1到>100:1
- 低缺陷密度配方，控制大颗粒数量
- 提供游离磨粒和固定磨粒垫兼容型两种形式