CMP二氧化硅研磨液（气相/胶体SiO2）
CAS 编号: 7631-86-9
CMP二氧化硅研磨液含有高度分散的气相或胶体二氧化硅磨粒的水性介质，用于层间介质（ILD）、浅沟槽隔离（STI）和多晶硅层的化学机械平坦化。机械研磨和化学氧化溶解的结合实现了多层金属互连制造所需的全局平坦度。
技术规格
| 外观 | 白色乳状胶体悬浮液 |
| 金属杂质 | 各项≤100 ppb |
| pH（25°C） | 10–11（碱性级） |
| 含量（%） | ≥99.5（SiO2含量） |
| 粒径（D50） | 50–150 nm |
应用领域
- ILD（层间介质）氧化物CMP平坦化
- STI（浅沟槽隔离）氧化物抛光
- 多晶硅和多晶硅栅极CMP
- 钨（W）插塞CMP（停止在氧化层上）
- 基板减薄和背面研磨
产品特点
- 通过粒径和浓度调节可调控去除速率
- 高氧化物对氮化物选择比（>20:1），适用于STI应用
- 低缺陷配方，最大限度减少抛光表面划痕
- 与主流CMP设备平台（应用材料、荏原）兼容