半导体蚀刻化学品
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半导体级丙酮（光刻胶去除）
CAS: 67-64-1
半导体级丙酮是超纯酮类溶剂，用于溶解去除光刻胶、清洗晶圆表面有机残留物，以及MEMS和化合物半导体工艺中的剥离图形。其快速挥发速率和强溶解力使其在湿法刻蚀前能快速去除光刻胶。
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氯化铝ALD前驱体（AlCl3）
CAS: 7446-70-0
无水氯化铝（AlCl3）用作ALD（原子层沉积）前驱体，在半导体器件中沉积Al2O3高k介质和含铝薄膜。在ALD工艺中，交替暴露AlCl3和水（或臭氧）产生具有单层级厚度控制的保形Al2O3薄膜，对栅极介质、电容器介质和封装层至关重要。
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半导体级氨气（NH3氮化物CVD）
CAS: 7664-41-7
半导体级氨气（NH3）是CVD和ALD沉积氮化硅（Si3N4）、氮化钛（TiN）、氮化铝（AlN）和氮化镓（GaN）薄膜的氮源。在与DCS或硅烷的LPCVD和PECVD工艺中，NH3生成保形氮化物薄膜，在整个IC制造中用作刻蚀停止层、扩散阻挡层和钝化层。
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半导体级氟化铵溶液（NH4F 40%）
CAS: 12125-01-8
半导体级氟化铵（40%水溶液）是缓冲氧化物刻蚀（BOE）配方及氮化硅刻蚀化学品的关键成分，超高纯度确保晶圆表面金属污染极低，也可用作多种湿法工艺槽液的pH缓冲剂和氟离子来源。
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半导体级氢氧化铵（NH4OH SC-1清洗）
CAS: 1336-21-6
半导体级氢氧化铵（28–30% NH3）是RCA SC-1清洗液（NH4OH/H2O2/H2O）的关键成分，用于去除硅晶圆的颗粒和有机污染物，也能轻微刻蚀氧化硅以使颗粒脱落。超高纯度防止在关键栅前氧化清洗中引入金属污染。
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氩气溅射气体（Ar超纯级）
CAS: 7440-37-1
超纯氩气（Ar）是半导体制造中物理气相沉积（PVD）、离子束刻蚀和等离子体刻蚀工艺的主要溅射和载气。氩离子被加速轰击金属和介质靶材，用于薄膜沉积（Al、Cu、Ti、TiN、TaN），或进行氩离子研磨，在III-V族和磁性器件制造中进行图形化定义。
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底部抗反射涂层（BARC）
底部抗反射涂层（BARC）是旋涂在光刻胶下方的有机或无机层，用于抑制UV和DUV光刻过程中因基板反射率引起的驻波和反射凹陷。通过调节薄膜厚度和折射率（n, k），BARC最大限度减少光刻胶/基板界面处的反射光，改善大批量生产中的CD均匀性、分辨率和焦深。
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缓冲氧化物刻蚀液（BOE）NH4F/HF
CAS: 7664-39-3
缓冲氧化物刻蚀液（BOE）是氟化铵（NH4F）与氢氟酸（HF）的混合液，可提供稳定可控的二氧化硅刻蚀速率。氟化铵缓冲剂维持稳定pH并补充氟离子，相比纯HF具有更均匀、可重复的氧化物刻蚀速率，广泛用于MEMS、CMOS及显示面板制造工艺。
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CMP氧化铈研磨液（CeO2磨粒）
CAS: 1306-38-3
CMP氧化铈（CeO2）研磨液为STI和ILD工艺提供超高氧化物去除速率和出色的平坦化效率。氧化铈磨粒通过Ce-O-Si键合与SiO2发生化学反应，与硅石研磨液相比，在更低压力下实现更高去除速率。对氮化硅的高选择比使氧化铈成为先进逻辑节点STI CMP的首选磨粒。
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CMP抛光垫金刚石修整盘
CMP抛光垫修整盘采用不锈钢基板上电镀或钎焊金刚石磨粒，在晶圆平坦化过程中持续修整和再纹理化CMP抛光垫。定期修整去除老化垫面并恢复微凸体结构，确保稳定的研磨液输送和去除速率。对于维持垫间和晶圆间去除速率均匀性至关重要。
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CMP二氧化硅研磨液（气相/胶体SiO2）
CAS: 7631-86-9
CMP二氧化硅研磨液含有高度分散的气相或胶体二氧化硅磨粒的水性介质，用于层间介质（ILD）、浅沟槽隔离（STI）和多晶硅层的化学机械平坦化。机械研磨和化学氧化溶解的结合实现了多层金属互连制造所需的全局平坦度。
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四氟化碳等离子体刻蚀气体（CF4）
CAS: 75-73-0
四氟化碳（CF4）是用于干法刻蚀工艺中刻蚀氧化硅、氮化硅和硅的多功能等离子体刻蚀气体。与氧气混合时，以高选择比刻蚀SiO2；单独或与H2混合时，用于各向异性硅和氮化物刻蚀。CF4也用作腔室清洁气体和CVD反应器远程等离子体清洁气体。
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大马士革工艺铜电镀硫酸铜（CuSO4）
CAS: 7758-98-7
半导体级五水硫酸铜（CuSO4·5H2O）是大马士革和双大马士革铜互连制造中酸性电镀槽的主要铜离子来源。与硫酸、氯离子及有机添加剂（加速剂、抑制剂、整平剂）配合使用，可实现先进BEOL工艺中高深宽比通孔和沟槽的超填充（底部向上填充）。
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二氯硅烷CVD前驱体（DCS，SiH2Cl2）
CAS: 4109-96-0
二氯硅烷（DCS，SiH2Cl2）是在LPCVD工艺中沉积高质量氮化硅（Si3N4）、氮氧化硅（SiON）和多晶硅薄膜的广泛使用CVD前驱体。DCS/NH3化学品在750–800°C下生成具有优异均匀性和电学性质的化学计量Si3N4薄膜，用于DRAM和闪存中的栅极侧墙、刻蚀停止层和电荷存储层。
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半导体级二甲基亚砜（DMSO）
CAS: 67-68-5
半导体级二甲基亚砜（DMSO）是极性非质子溶剂，用于光刻胶剥离配方，特别是作为胺类助溶剂以增强刻蚀后和灰化后聚合物残留物的去除。与NMP相比，其高极性和低毒性使其在先进节点BEOL清洗化学品中越来越受青睐。
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EUV极紫外光刻胶聚合物
EUV光刻胶是化学放大或含金属的光刻胶聚合物，针对7nm以下逻辑和存储器器件图形化的13.5nm极紫外（EUV）光刻进行优化。这些先进光刻胶必须平衡灵敏度、分辨率和线边缘粗糙度（LWR/LER）之间的矛盾需求。含金属EUV光刻胶（Sn基或Hf基）与有机CAR平台相比，具有更高的EUV吸收率和更好的分辨率。
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边缘胶珠去除剂（EBR）晶圆边缘溶剂
边缘胶珠去除剂（EBR）是精确配制的溶剂混合物，用于溶解去除旋涂过程中在晶圆边缘积聚的光刻胶珠。EBR在光刻胶涂布后立即分配到旋转晶圆的正面边缘（前EBR）或背面边缘（后EBR），防止边缘胶珠污染后续光刻步骤中的晶圆传送设备和卡盘。
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化学镀镍次磷酸钠（NaH2PO2）
CAS: 7681-53-0
次磷酸钠一水合物（NaH2PO2·H2O）是化学镀镍（EN）槽液中的还原剂，无需外部电流即可实现镍磷合金的自催化沉积。在半导体封装中，ENIG（化学镍浸金）和ENEPIG表面处理依赖次磷酸钠基EN槽液，为PCB和基板提供可焊接、可引线键合、耐腐蚀的表面。
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乙二醇单丁醚（EGBE）显影溶剂
CAS: 111-76-2
半导体级乙二醇单丁醚（EGBE，也称丁基溶纤剂）用作光刻胶显影液配方的助溶剂及设备和夹具清洗剂。其适中的挥发速率以及与水性碱性显影液的兼容性，有助于优化显影液在晶圆表面的铺展和均匀性。
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氰化金钾电镀液（KAu(CN)2）
CAS: 13967-50-5
氰化金钾（KAu(CN)2）是半导体金电镀槽中的主要金盐，用于引线键合焊盘电镀、连接器触点精饰和光电器件金属化。稳定的氰化物络合物提供光滑、光亮的金沉积层，具有优异的引线键合性和耐腐蚀性，可用于酸性和中性pH槽液配方。
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六甲基二硅氮烷（HMDS）附着力促进剂
CAS: 999-97-3
六甲基二硅氮烷（HMDS）是半导体光刻中通用的光刻胶附着力促进剂。在光刻胶涂布前通过气相预处理或旋涂方式施加，HMDS与表面OH基反应形成疏水三甲基甲硅烷基（TMS）单层，显著提高光刻胶在氧化物和氮化物表面的附着力，防止显影过程中图案脱落。
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半导体级盐酸（HCl 37%）
CAS: 7647-01-0
半导体级盐酸（37%）是RCA SC-2清洗中去除金属离子和氧化层的关键化学品，能与重金属形成络合物并将其从晶圆表面去除，用于HCl/H2O2/H2O（SC-2）混合液以在氧化炉工艺前消除碱金属和重金属污染。
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半导体级氢氟酸（HF 49%）
CAS: 7664-39-3
半导体级氢氟酸（49% HF）是用于氧化硅刻蚀、自然氧化层去除及晶圆表面清洗的超纯水溶液，符合SEMI C1或C8纯度规格，金属杂质含量低至亚ppb级别，是IC制造前段工艺湿法刻蚀的关键化学品。
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半导体级双氧水（H2O2 30%）
CAS: 7722-84-1
半导体级双氧水（30%）是RCA SC-1和SC-2晶圆清洗工艺中去除有机物和离子污染的关键氧化剂。与氢氧化铵混合（SC-1）可去除颗粒和有机物；与HCl混合（SC-2）可溶解金属离子；也是SPM食人鱼清洗液的关键成分。
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半导体级异丙醇（IPA超纯级）
CAS: 67-63-0
半导体级异丙醇（IPA）是超纯溶剂，用于晶圆干燥（马兰戈尼干燥）、光刻胶稀释、设备表面清洁及湿法工艺台最终冲洗溶剂。其低水分含量和亚ppb级金属杂质使其适用于前段和后段半导体关键清洗应用。
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半导体级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）
CAS: 872-50-4
半导体级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）是高沸点极性非质子溶剂，广泛用于后段（BEOL）工艺中的光刻胶剥离和残留物去除。对交联光刻胶的优异溶解性和低蒸气压使其适用于单片晶圆旋转清洗设备和浸泡剥离槽。超纯级确保互连层无金属污染。
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氨基磺酸镍电镀液
CAS: 13770-89-3
氨基磺酸镍（Ni(SO3NH2)2）是需要低内应力、高沉积硬度和优异延展性的电镀应用的首选镍盐。在半导体封装中，用于MEMS电铸成形、凸点下金属化（UBM）和磁性驱动器制造。其低应力沉积层对于高深宽比LIGA微结构至关重要。
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半导体级硝酸（HNO3 69%）
CAS: 7697-37-2
半导体级硝酸（69%）用于硅刻蚀化学品、金属表面氧化及晶圆清洗工艺。与HF混合形成标准硅刻蚀液（HNA：HF/HNO3/HAc），用于各向同性硅刻蚀。超纯配方符合SEMI C1标准，痕量金属含量低于1 ppb。
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三氟化氮腔室清洁气体（NF3）
CAS: 7783-54-2
三氟化氮（NF3）是CVD和ALD反应器远程等离子体腔室清洁的首选气体，由于其优越的全球变暖潜势（GWP）特性和更高的利用效率，逐步替代C2F6和CF4。NF3等离子体产生活性F自由基，高效去除CVD腔室壁上的硅基沉积物（SiO2、Si3N4、a-Si），无需晶圆暴露，大幅减少腔室停机时间。
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八氟环丁烷介质刻蚀气体（c-C4F8）
CAS: 115-25-3
八氟环丁烷（c-C4F8）是氟碳气体，用作先进半导体图形化中高选择性氧化物和氮化物等离子体刻蚀的主要介质刻蚀化学品。其高C:F比在等离子体中产生聚合物前驱体，钝化侧壁和硅表面，提供出色的SiO2/Si选择性。也用作Bosch DRIE硅刻蚀循环中的钝化气体。
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氯化钯电镀活化液（PdCl2）
CAS: 13138-48-2
氯化钯（PdCl2）溶液用作非导电基板无电镀的活化催化剂，以及无电镀镍或铜沉积前的表面敏化处理。在半导体封装中，可实现介质表面的选择性金属沉积，用于PCB通孔、晶圆级封装和先进基板制造。
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半导体级磷酸（H3PO4 85%）
CAS: 7664-38-2
半导体级磷酸（85%）是氮化硅（Si3N4）湿法刻蚀的标准刻蚀剂，对二氧化硅和硅具有高选择性。加热至160–180°C时，可以50–100 Å/min的速率选择性刻蚀Si3N4，是STI和LOCOS工艺集成的关键化学品，超高纯度可最大限度减少颗粒和金属污染。
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食人鱼溶液硫酸-双氧水混合液（SPM）
食人鱼溶液（SPM：硫酸/双氧水混合液，通常H2SO4:H2O2 = 3:1至7:1体积比）是一种强氧化清洗液，用于去除硅晶圆表面的重度有机污染、光刻胶残留和金属颗粒。放热混合反应生成过一硫酸（卡罗酸），能强力氧化有机物。可用于批量和单片晶圆SPM清洗设备。
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正性光刻胶显影液CD-26（TMAH 2.38%）
CAS: 75-59-2
CD-26光刻胶显影液是精确配制的2.38%四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液，是正性酚醛树脂和化学放大光刻胶的工业标准显影液。无金属离子化学品消除碱金属污染，精确的TMAH浓度提供可预测、可重复的显影对比度和CD控制。
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正性酚醛树脂光刻胶（g线/i线）
酚醛树脂正性光刻胶是半导体图形化中g线（436nm）和i线（365nm）UV曝光的经典光刻材料。由酚醛树脂和重氮萘醌（DNQ）光活性化合物溶于PGMEA/PGME溶剂组成，提供优异的0.35 µm分辨率、高刻蚀阻抗，与标准TMAH显影液兼容。广泛用于MEMS、显示器和传统CMOS工艺。
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氢氧化钾硅各向异性刻蚀液（KOH）
CAS: 1310-58-3
氢氧化钾（KOH）水溶液是MEMS制造中经典的各向异性硅刻蚀剂，在晶面间具有极高选择性。典型浓度20–40 wt%，70–80°C时提供良好控制的刻蚀速率，{100}/{111}选择比超过100:1，是非CMOS MEMS器件的首选刻蚀剂（碱金属污染可接受场合）。
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丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）
CAS: 108-65-6
PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）是193nm和EUV光刻工艺先进光刻胶配方中最主要的光刻胶溶剂。其最优挥发速率、对树脂的优异溶解性和低毒性，使其成为正性和负性光刻胶的工业标准成膜溶剂。超纯半导体级最大限度减少缺陷并确保膜层均匀性。
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RCA SC-1清洗试剂（NH4OH/H2O2/H2O）
RCA SC-1（标准清洗1，APM：氨-双氧水混合液）是即用型或分组件供应的清洗体系，采用NH4OH:H2O2:H2O（1:1:5至1:2:10体积比），在65–80°C下去除硅晶圆表面颗粒和轻度有机污染。轻微氧化刻蚀成分使颗粒脱落，H2O2氧化有机物，清洗后颗粒水平可达0.1个/cm2以下。
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SU-8环氧负性光刻胶
SU-8是化学放大环氧基负性光刻胶，能够制造非常厚（1–500 µm）、高深宽比（>20:1）且侧壁近垂直的微结构。广泛用于MEMS制造、微流控和先进封装，SU-8在UV或近UV曝光后交联，形成化学和机械性能强固的永久或牺牲结构，适用于苛刻应用。
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硅烷（单硅烷）CVD前驱体（SiH4）
CAS: 7803-62-5
单硅烷（SiH4）是用于沉积多晶硅栅极、外延硅、PECVD氮化硅（与NH3）、PECVD氧化硅（与N2O/O2）和非晶硅薄膜的基础硅CVD前驱体，也是钨CVD（WF6/SiH4）和半导体行业硅基介质沉积工艺的成核前驱体。
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硅酸盐旋涂玻璃（SOG硅酸盐平坦化）
硅酸盐旋涂玻璃（SOG）是基于醇溶剂中硅正硅酸酯前驱体的无机可旋涂介质材料。旋涂后在400–450°C固化，形成致密SiO2薄膜，用于BEOL工艺中金属线间隙填充平坦化。硅酸盐SOG对高深宽比空间具有优异的间隙填充能力，但在较厚应用中需要刻蚀减薄以避免开裂。
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硅氧烷旋涂玻璃（硅氧烷SOG介质）
硅氧烷旋涂玻璃（SOG）在SiO2网络中引入甲基或苯基硅氧烷基团，与纯硅酸盐SOG相比提供更低的介电常数（k = 2.7–3.5）和更低的吸湿性。有机Si-CH3基团降低薄膜脆性，允许更厚涂层而不开裂，使硅氧烷SOG适用于先进互连工艺中的低k ILD应用。
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六氟化硫硅等离子体刻蚀气体（SF6）
CAS: 2551-62-4
六氟化硫（SF6）是高氟含量气体，广泛用作硅等离子体刻蚀工艺的主要刻蚀剂，包括MEMS深反应离子刻蚀（DRIE）、硅沟槽刻蚀和多晶硅栅极图形化。在Bosch DRIE工艺中，SF6与C4F8钝化循环交替，以垂直侧壁实现超深高深宽比硅沟槽。
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半导体级硫酸（H2SO4 96%）
CAS: 7664-93-9
半导体级硫酸（96%）是SPM（硫酸/双氧水混合液，食人鱼清洗）的主要成分，用于去除晶圆表面有机光刻胶及污染物。超高纯度确保关键清洗步骤中不引入金属杂质，也用于铜大马士革工艺的电镀槽液。
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正硅酸四乙酯（TEOS）CVD前驱体
CAS: 78-10-4
正硅酸四乙酯（TEOS，Si(OC2H5)4）是半导体制造中CVD二氧化硅沉积的主流前驱体。基于TEOS的PECVD和SACVD工艺在300–750°C下沉积具有优异台阶覆盖和保形性的高质量SiO2薄膜。TEOS氧化物在CMOS前段和后段工艺中用作ILD、STI衬垫、侧墙和硬掩膜。
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四甲基氢氧化铵（TMAH 25%）
CAS: 75-59-2
四甲基氢氧化铵（TMAH，25%水溶液）是一种无金属离子的碱性刻蚀剂，能沿晶面各向异性刻蚀硅，在{100}和{111}晶面间具有高选择性，广泛用于MEMS微加工制造薄膜、悬臂梁和微结构。作为KOH的CMOS兼容替代品，TMAH不会引入碱金属污染。
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四氯化钛CVD/ALD前驱体（TiCl4）
CAS: 7550-45-0
四氯化钛（TiCl4）是CVD和ALD沉积含钛薄膜（包括TiN扩散阻挡层、TiO2高k介质和TiSi2接触硅化物）的主要前驱体。TiCl4与NH3或N2/H2等离子体的ALD工艺在3D NAND和DRAM电容器结构中生成保形TiN阻挡层。高蒸气压和热稳定性使其适合高产量半导体制造。
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三甲基甲硅烷基二乙胺（TMSDEA）硅烷化试剂
CAS: 996-50-9
三甲基甲硅烷基二乙胺（TMSDEA）是半导体光刻中用于改性光刻胶表面化学性质和增强附着力的硅烷化试剂。作为硅烷化光刻胶工艺（如DESIRE工艺）的表面处理剂，将光刻胶表面的OH基转化为OSi(CH3)3基，提高刻蚀选择比。也用于ALD表面官能化和低k介质表面修复。
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六氟化钨CVD前驱体（WF6）
CAS: 7783-82-6
六氟化钨（WF6）是沉积钨金属薄膜的标准CVD前驱体，用于DRAM和NAND闪存中的接触插塞、局部互连和字线。与SiH4（成核层）反应后经H2还原，WF6沉积高纯度、低电阻率钨金属，以优异的无空洞覆盖率填充100nm以下接触孔。
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晶圆清洗SC-2试剂（HCl/H2O2/H2O）
RCA SC-2（标准清洗2，HPM：盐酸-双氧水混合液）使用HCl:H2O2:H2O（1:1:6体积比），在65–80°C下通过金属氯化物络合物形成去除硅晶圆表面碱金属（Na、K）和重金属污染（Au、Cu、Fe）。SC-2是标准RCA清洗序列的第二步，在SC-1之后进行，以实现高完整性栅极氧化物所需的亚ppb金属水平。
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