六氟化钨CVD前驱体（WF6）
CAS 编号: 7783-82-6
六氟化钨（WF6）是沉积钨金属薄膜的标准CVD前驱体，用于DRAM和NAND闪存中的接触插塞、局部互连和字线。与SiH4（成核层）反应后经H2还原，WF6沉积高纯度、低电阻率钨金属，以优异的无空洞覆盖率填充100nm以下接触孔。
技术规格
| 外观 | 无色气体（加压液化） |
| 水分 | ≤1 ppm |
| 钢瓶压力 | 液化，20°C时40 bar |
| 含量（%） | ≥99.999（5N半导体级） |
| 金属杂质（Mo、Re、Os） | 各项≤0.1 ppm |
应用领域
- CMOS逻辑和存储器W接触插塞填充
- DRAM字线和局部互连沉积
- 3D NAND字线钨填充
- 替换金属栅极（RMG）中W栅极电极
- 钨硅化物（WSi2）栅极沉积
产品特点
- 5N纯度沉积低电阻率W薄膜（8–12 µΩ·cm），实现低RC接触
- 在高深宽比（>10:1）接触孔中优异的无空洞填充
- 工艺特性成熟，在晶圆厂设备上具有广泛的认证基础
- 特殊钝化钢瓶配镍镀阀门供货