二氯硅烷CVD前驱体（DCS，SiH2Cl2）
CAS 编号: 4109-96-0
二氯硅烷（DCS，SiH2Cl2）是在LPCVD工艺中沉积高质量氮化硅（Si3N4）、氮氧化硅（SiON）和多晶硅薄膜的广泛使用CVD前驱体。DCS/NH3化学品在750–800°C下生成具有优异均匀性和电学性质的化学计量Si3N4薄膜，用于DRAM和闪存中的栅极侧墙、刻蚀停止层和电荷存储层。
技术规格
| 外观 | 无色可燃气体 |
| 氧气 | ≤0.5 ppm |
| 水分 | ≤0.5 ppm |
| 金属杂质 | 各项≤0.1 ppb |
| 含量（%） | ≥99.999（5N半导体级） |
应用领域
- LPCVD Si3N4栅极侧墙和刻蚀停止层
- DRAM电容器电荷存储氮化物
- SiON栅极介质（氮化氧化物）
- 闪存多晶硅间ONO介质
- PECVD氮化硅钝化层
产品特点
- 化学计量LPCVD Si3N4首选前驱体，氢含量低
- 比三氯硅烷沉积温度低，降低热预算
- 批量LPCVD炉中晶圆内和晶圆间均匀性优异
- 配备超高纯度阀门和管件的高压钢瓶供货