四氯化钛CVD/ALD前驱体（TiCl4）
CAS 编号: 7550-45-0
四氯化钛（TiCl4）是CVD和ALD沉积含钛薄膜（包括TiN扩散阻挡层、TiO2高k介质和TiSi2接触硅化物）的主要前驱体。TiCl4与NH3或N2/H2等离子体的ALD工艺在3D NAND和DRAM电容器结构中生成保形TiN阻挡层。高蒸气压和热稳定性使其适合高产量半导体制造。
技术规格
| 外观 | 无色至淡黄色发烟液体 |
| 沸点 | 136°C |
| 水分含量 | ≤5 ppm |
| 含量（%） | ≥99.999（5N半导体级） |
| 金属杂质（V、Fe、Al） | 各项≤0.5 ppm |
应用领域
- 铜大马士革TiN ALD扩散阻挡层
- 高k/金属栅CMOS中TiN栅极电极
- DRAM电容器TiO2高k介质
- TiSi2自对准硅化物（salicide）形成
- 3D NAND字线TiN沉积
产品特点
- 5N纯度生成对铜扩散具有优异阻挡性能的TiN薄膜
- 高蒸气压支持室温气相输送
- 在高深宽比3D结构中保形台阶覆盖
- 提供钢瓶和安瓿瓶输送系统，兼容晶圆厂设备