半导体级磷酸（H3PO4 85%）
CAS 编号: 7664-38-2
半导体级磷酸（85%）是氮化硅（Si3N4）湿法刻蚀的标准刻蚀剂，对二氧化硅和硅具有高选择性。加热至160–180°C时，可以50–100 Å/min的速率选择性刻蚀Si3N4，是STI和LOCOS工艺集成的关键化学品，超高纯度可最大限度减少颗粒和金属污染。
技术规格
| 外观 | 无色粘稠液体 |
| 金属杂质 | 各项≤1 ppb |
| 含量（%） | ≥85.0（H3PO4含量） |
| 氯离子（Cl-） | ≤0.1 ppm |
| 硫酸根（SO4） | ≤0.5 ppm |
应用领域
- 热磷酸氮化硅（Si3N4）刻蚀
- 浅沟槽隔离（STI）氮化层去除
- LOCOS场氧化工艺氮化层剥离
- 铝金属湿法刻蚀（稀H3PO4/HNO3/HAc混合液）
- 磷硅玻璃（PSG/BPSG）刻蚀
产品特点
- 160°C槽液中Si3N4对SiO2选择比高达30:1以上
- 通过控制水分含量维持稳定刻蚀速率
- 超低金属杂质防止栅极介质性能退化
- 适用于热磷酸循环刻蚀设备