EUV极紫外光刻胶聚合物
EUV光刻胶是化学放大或含金属的光刻胶聚合物，针对7nm以下逻辑和存储器器件图形化的13.5nm极紫外（EUV）光刻进行优化。这些先进光刻胶必须平衡灵敏度、分辨率和线边缘粗糙度（LWR/LER）之间的矛盾需求。含金属EUV光刻胶（Sn基或Hf基）与有机CAR平台相比，具有更高的EUV吸收率和更好的分辨率。
技术规格
| 外观 | PGMEA中透明至淡琥珀色溶液 |
| 分辨率 | ≤13 nm HP（半间距） |
| LWR（3σ） | ≤2.5 nm |
| 含量（%） | ≥99.9（成膜溶剂中聚合物固含量） |
| 灵敏度（mJ/cm2） | 15–40（EUV尺寸曝光剂量） |
应用领域
- 7nm以下逻辑节点关键层图形化
- DRAM电容器和位线EUV图形化
- NAND闪存字符串选择和接触EUV
- 高NA EUV（0.55NA）先进节点光刻胶
- EUV直写单次曝光图形化
产品特点
- 针对13.5nm EUV光刻机（ASML NXE和EXE平台）优化
- 高EUV吸收系数，提升光子利用效率
- 低出气率，防止EUV光刻机反射镜污染
- 与标准TMAH 2.38%显影液或新型溶剂显影液兼容