Slurry CMP para Metal
Número CAS: 1344-28-1
El slurry CMP para metal es una suspensión abrasiva químicamente activa diseñada para pulir cobre, tungsteno u otras capas de interconexión metálica durante la fabricación de semiconductores. Utiliza agentes complejantes y oxidantes en combinación con partículas abrasivas para lograr una remoción metálica controlada y planarización. Es crítico para la formación de interconexiones de cobre damasceno en nodos lógicos avanzados y para el CMP de tapones de tungsteno en dispositivos de memoria.
Especificaciones Técnicas
| pH | 2–4 (cobre) o 2–4 (tungsteno) |
| abrasive | Alúmina o sílice, 50–200 nm |
| appearance | Suspensión de blanca a gris |
| removalRate | 2000–6000 Å/min (Cu) |
| selectivity | Cu:barrera > 50:1 (grado cobre) |
| particleSize | D99 < 1 µm (grado libre de rayaduras) |
Aplicaciones
- CMP de interconexiones de cobre damasceno
- CMP de tapones y contactos de tungsteno
- CMP de revestimientos y barreras de cobalto
- CMP de back-end-of-line (BEOL) en nodos avanzados
- CMP de vías a través de silicio (TSV) en IC 3D
Características Principales
- Alta tasa de remoción metálica con bajo dishing y erosión
- Alta selectividad frente a capas dieléctricas y de barrera
- Conteo ultra bajo de partículas grandes para evitar rayaduras
- Actividad química estable durante una vida útil prolongada del baño
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