金属CMP抛光液
CAS 编号: 1344-28-1
金属CMP抛光液是专为半导体制造过程中抛光铜、钨或其他金属互连层而设计的化学活性研磨悬浮液。它使用络合剂和氧化剂与研磨颗粒相结合，实现受控的金属去除和平坦化。对先进逻辑节点中大马士革铜互连形成和存储器件中钨塞CMP至关重要。
技术规格
| pH | 2–4（铜型）或2–4（钨型） |
| abrasive | 氧化铝或二氧化硅，50–200 nm |
| appearance | 白色至灰色悬浮液 |
| removalRate | 去除速率 2000–6000 Å/min（Cu） |
| selectivity | 选择比 Cu:阻挡层 > 50:1（铜等级） |
| particleSize | D99 < 1 µm（无划伤等级） |
应用领域
- 铜大马士革互连CMP
- 钨塞和接触孔CMP
- 钴衬垫和阻挡层CMP
- 先进节点后道工程（BEOL）CMP
- 3D IC硅通孔（TSV）CMP
产品特点
- 高金属去除速率，碟形凹陷和侵蚀低
- 对介质层和阻挡层具有高选择比
- 大颗粒计数极低，防止划伤
- 长时间槽液使用周期内化学活性稳定