氧化物CMP抛光液
CAS 编号: 7631-86-9
氧化物CMP（化学机械平坦化）抛光液是胶体二氧化硅或氧化铈基研磨悬浮液，用于平坦化半导体晶圆上的二氧化硅和其他介电薄膜。它将机械研磨与化学溶解结合，实现多层IC制造所需的全局平坦化。对先进逻辑和存储器件中的STI、ILD和PMD平坦化至关重要。
技术规格
| pH | 10–11（硅浆型） |
| abrasive | 胶体二氧化硅或氧化铈，12–100 nm |
| appearance | 乳白色悬浮液 |
| removalRate | 去除速率 500–3000 Å/min（SiO₂） |
| selectivity | 选择比 SiO₂:Si₃N₄ > 30:1（STI等级） |
| solidsContent | 固含量 5–30 wt% |
应用领域
- 浅沟槽隔离（STI）平坦化
- 层间介质（ILD）平坦化
- 金属前介质（PMD）抛光
- BPSG和TEOS氧化物平坦化
- 3D NAND和DRAM介质CMP
产品特点
- 高氧化物去除速率，平坦度优异
- 对氮化物停止层具有高选择比（STI等级）
- 低缺陷率——划伤和污染极少
- 分散稳定，货架寿命长