低介电常数介质添加剂
CAS 编号: 17689-77-9
低介电常数介质添加剂是一种成孔剂或基体改性化学品，加入介电薄膜中使先进半导体互连层的介电常数（k值）降低至3.0以下。降低k值可减小密集IC金属化中的RC延迟和串扰。基于成孔剂的添加剂在CVD或旋涂介质基体中引入受控纳米孔，实现超低k（ULK）值。
技术规格
| poreSize | 平均孔径 2–5 nm |
| porosity | 孔隙率 10–40%（ULK等级） |
| appearance | 透明液体或固体前驱体 |
| thermalStability | 热稳定性 >400°C |
| dielectricConstant | 目标薄膜k值 2.0–3.0 |
| mechanicalStrength | 杨氏模量 >5 GPa |
应用领域
- CVD低k介电薄膜沉积
- 旋涂低k介质涂层
- 先进节点后道工程金属间介质
- 多孔超低k（ULK）薄膜形成
- 3D IC介质层改性
产品特点
- 降低介电常数，减小RC延迟
- 通过成孔剂加载量控制孔隙率
- 保持机械完整性，与CMP工艺兼容
- 与CVD和旋涂沉积工艺均兼容