硅CVD前驱体
CAS 编号: 992-94-9
硅CVD前驱体是用于化学气相沉积的挥发性含硅化合物，如硅烷（SiH₄）、TEOS或DCS，用于在半导体晶圆上生长硅、二氧化硅、氮化硅和多晶硅薄膜。这些薄膜在MEMS中用作栅极电极、介质、钝化层和结构元件。高纯度是必须的，以避免微量金属污染物导致器件性能下降。
技术规格
| purity | 纯度 >99.999%（5N，SiH₄） |
| appearance | 无色气体（SiH₄）或液体（TEOS） |
| depositRate | 沉积速率 100–1000 Å/min（取决于工艺） |
| filmUniformity | 300 mm晶圆均匀性 <1% 1σ |
| metalImpurities | 金属杂质 各<1 ppb |
| moistureContent | 水分 <1 ppm |
应用领域
- 多晶硅栅极和薄膜沉积
- TEOS基SiO₂层间介质沉积
- Si₃N₄蚀刻停止层和钝化层
- 外延硅沉积
- MEMS结构层生长
产品特点
- 5N纯度确保金属污染最低
- 多种硅化合物选项（SiH₄、TEOS、DCS、BTBAS）
- 与LPCVD、PECVD和ALD反应器兼容
- 稳定供货，附认证分析文件