铪原子层沉积前驱体
CAS 编号: 69038-57-9
铪ALD前驱体是一种挥发性有机金属化合物，用于原子层沉积（ALD）生长超薄氧化铪（HfO₂）高k介电薄膜，用于先进栅极介质和DRAM电容器。常见前驱体包括TEMAH和HfCl₄，与水或臭氧氧化剂反应，在低温下沉积共形无针孔HfO₂。对亚10 nm CMOS逻辑和高密度存储器制造不可或缺。
技术规格
| purity | 纯度 >99.99%（4N） |
| appearance | 无色至淡黄色液体 |
| growthRate | 生长速率 0.8–1.1 Å/循环 |
| boilingPoint | 0.1 Torr下沸点 75–90°C（TEMAH） |
| vaporPressure | 50°C时蒸气压 0.1–0.5 Torr |
| metalImpurities | 金属杂质 各<1 ppm（ICP-MS） |
应用领域
- FinFET和GAA晶体管高k栅极介质
- DRAM电容器介质（HfO₂）
- ReRAM和FeFET铁电HfO₂薄膜
- 扩散阻挡层沉积
- 光学涂层高k层
产品特点
- 通过ALD自限性反应实现亚纳米厚度控制
- 在高纵横比3D结构上保形沉积
- 超高纯度，防止器件阈值电压漂移
- 与H₂O和O₃氧化剂化学体系兼容