Slurry CMP para Óxido
Número CAS: 7631-86-9
El slurry CMP (planarización química mecánica) para óxido es una suspensión abrasiva a base de sílice coloidal o ceria utilizada para planarizar películas de dióxido de silicio y otras películas dieléctricas en obleas semiconductoras. Combina abrasión mecánica con disolución química para lograr la planarización global requerida en la fabricación de circuitos integrados multicapa. Es crítico para la planarización de STI, ILD y PMD en dispositivos lógicos y de memoria avanzados.
Especificaciones Técnicas
| pH | 10–11 (slurry de sílice) |
| abrasive | Sílice coloidal o ceria, 12–100 nm |
| appearance | Suspensión blanca lechosa |
| removalRate | 500–3000 Å/min (SiO₂) |
| selectivity | SiO₂:Si₃N₄ > 30:1 (grado STI) |
| solidsContent | 5–30 % en peso |
Aplicaciones
- Planarización de aislamiento por trinchera poco profunda (STI)
- Planarización de dieléctrico entre capas (ILD)
- Pulido de dieléctrico pre-metal (PMD)
- Planarización de óxidos BPSG y TEOS
- CMP de dieléctricos para NAND 3D y DRAM
Características Principales
- Alta tasa de remoción de óxido con excelente planaridad
- Alta selectividad frente a capas de detención de nitruro (grado STI)
- Baja defectividad — mínimas rayaduras y contaminación
- Dispersión estable con larga vida útil
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