Aditivo Dieléctrico de Baja Constante (Low-k)
Número CAS: 17689-77-9
El aditivo dieléctrico de baja constante (low-k) es un producto químico generador de poros o modificador de matriz incorporado en películas dieléctricas delgadas para reducir la constante dieléctrica (k) por debajo de 3,0 en capas avanzadas de interconexión de semiconductores. Reducir k disminuye el retardo RC y la diafonía en metalizaciones densas de circuitos integrados. Los aditivos basados en porógenos introducen nanoporos controlados en matrices dieléctricas CVD o de aplicación por centrifugado para lograr valores de ultra baja constante dieléctrica (ULK).
Especificaciones Técnicas
| poreSize | 2–5 nm promedio |
| porosity | 10–40% (grado ULK) |
| appearance | Líquido transparente o precursor sólido |
| thermalStability | >400°C |
| dielectricConstant | 2,0–3,0 (valor k objetivo de la película) |
| mechanicalStrength | Módulo de Young >5 GPa |
Aplicaciones
- Deposición de películas dieléctricas low-k por CVD
- Recubrimiento dieléctrico low-k por centrifugado
- Dieléctrico intermetálico BEOL en nodos avanzados
- Formación de películas porosas de ultra baja k (ULK)
- Modificación de capas dieléctricas en circuitos integrados 3D
Características Principales
- Reduce la constante dieléctrica para disminuir el retardo RC
- Porosidad controlada mediante carga de porógeno
- Mantiene la integridad mecánica para compatibilidad con CMP
- Compatible con deposición tanto CVD como por centrifugado
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