Precursor de Silicio para CVD
Número CAS: 992-94-9
El precursor de silicio para CVD es un compuesto volátil que contiene silicio, como silano (SiH₄), TEOS o DCS, utilizado en deposición química en fase vapor para hacer crecer películas de silicio, dióxido de silicio, nitruro de silicio y polisilicio sobre obleas semiconductoras. Estas películas funcionan como electrodos de compuerta, dieléctricos, capas de pasivación y elementos estructurales en MEMS. Se requiere alta pureza para evitar la degradación del desempeño del dispositivo causada por trazas de contaminantes metálicos.
Especificaciones Técnicas
| purity | >99,999 % (5N, SiH₄) |
| appearance | Gas incoloro (SiH₄) o líquido (TEOS) |
| depositRate | 100–1000 Å/min (según proceso) |
| filmUniformity | <1 % 1σ en oblea de 300 mm |
| metalImpurities | <1 ppb cada uno |
| moistureContent | <1 ppm |
Aplicaciones
- Deposición de compuerta de polisilicio y películas delgadas
- Deposición de SiO₂ ILD basada en TEOS
- Capa de pasivación y barrera de grabado Si₃N₄
- Deposición epitaxial de silicio
- Crecimiento de capa estructural para MEMS
Características Principales
- Pureza 5N que garantiza mínima contaminación metálica
- Amplia gama de opciones de compuestos de silicio (SiH₄, TEOS, DCS, BTBAS)
- Compatible con reactores LPCVD, PECVD y ALD
- Suministro estable con documentación de análisis certificada
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