Precursor de Hafnio para ALD
Número CAS: 69038-57-9
El precursor de hafnio para ALD es un compuesto organometálico volátil utilizado en deposición de capas atómicas (ALD) para crecer películas dieléctricas de alta constante dieléctrica (high-k) de óxido de hafnio (HfO₂) ultradelgadas para dieléctricos de compuerta avanzados y capacitores DRAM. Los precursores comunes incluyen TEMAH y HfCl₄, que reaccionan con agua u ozono como oxidantes para depositar HfO₂ conforme y libre de poros a bajas temperaturas. Esencial para la fabricación de lógica CMOS sub-10 nm y memorias de alta densidad.
Especificaciones Técnicas
| purity | >99.99% (4N) |
| appearance | Líquido incoloro a amarillo pálido |
| growthRate | 0.8–1.1 Å/ciclo |
| boilingPoint | 75–90°C a 0.1 Torr (TEMAH) |
| vaporPressure | 0.1–0.5 Torr a 50°C |
| metalImpurities | <1 ppm cada uno (ICP-MS) |
Aplicaciones
- Dieléctrico de compuerta high-k para transistores FinFET y GAA
- Dieléctrico de capacitor DRAM (HfO₂)
- Películas ferroeléctricas de HfO₂ para ReRAM y FeFET
- Deposición de capa barrera de difusión
- Capas high-k para recubrimientos ópticos
Características Principales
- Permite control de espesor sub-nm mediante reacciones autolimitantes de ALD
- Deposición conforme sobre estructuras 3D de alta relación de aspecto
- Ultra alta pureza para evitar la variación de voltaje umbral del dispositivo
- Compatible con químicas oxidantes de H₂O y O₃
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