semiconductor etching chemicals

Hexafluoruro de Tungsteno Precursor CVD (WF6)

CAS: 7783-82-6

El hexafluoruro de tungsteno (WF6) es el precursor CVD estándar para la deposición de películas de tungsteno metálico utilizadas como contactos plug, interconexiones locales y wordlines en memorias DRAM y NAND flash. Reaccionado con SiH4 (capa de nucleación) seguido de reducción con H2, el WF6 deposita tungsteno metálico de alta pureza y baja resistividad que rellena contactos de menos de 100 nm con una excelente cobertura libre de huecos.

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Reactivo de Limpieza de Obleas SC-2 (HCl/H2O2/H2O)

El SC-2 RCA (Limpieza Estándar 2, HPM: Mezcla de Ácido Clorhídrico-Peróxido) utiliza HCl:H2O2:H2O (1:1:6 v/v) a 65–80°C para eliminar metales alcalinos (Na, K) y contaminación por metales pesados (Au, Cu, Fe) de las superficies de obleas de silicio mediante la formación de complejos clorometálicos. El SC-2 es el segundo paso en la secuencia de limpieza RCA estándar, realizado después del SC-1 para alcanzar niveles de metales sub-ppb esenciales para óxidos de puerta de alta integridad.