Hexafluoruro de Tungsteno Precursor CVD (WF6)
Número CAS: 7783-82-6
El hexafluoruro de tungsteno (WF6) es el precursor CVD estándar para la deposición de películas de tungsteno metálico utilizadas como contactos plug, interconexiones locales y wordlines en memorias DRAM y NAND flash. Reaccionado con SiH4 (capa de nucleación) seguido de reducción con H2, el WF6 deposita tungsteno metálico de alta pureza y baja resistividad que rellena contactos de menos de 100 nm con una excelente cobertura libre de huecos.
Especificaciones Técnicas
| moisture | ≤1 ppm |
| appearance | Gas incoloro (licuado bajo presión) |
| purity (%) | ≥99.999 (5N grado semiconductor) |
| cylinder pressure | Licuado, 40 bar a 20°C |
| metallic impurities (Mo, Re, Os) | ≤0.1 ppm cada uno |
Aplicaciones
- Relleno de contacto plug de W en lógica CMOS y memorias
- Deposición de wordlines e interconexiones locales en DRAM
- Relleno de wordlines de tungsteno en NAND 3D
- Electrodo de puerta de W en puerta metálica de reemplazo (RMG)
- Deposición de siliciuro de tungsteno (WSi2) como electrodo de puerta
Características Principales
- Pureza 5N que produce películas de W de baja resistividad (8–12 µΩ·cm) para contactos de bajo RC
- Excelente relleno sin huecos en contactos de alta relación de aspecto (>10:1)
- Proceso ampliamente caracterizado con una extensa base de calificación en equipos de fabricación
- Suministrado en cilindros especialmente pasivados con válvulas enchapadas en níquel
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