Tetracloruro de Titanio Precursor CVD/ALD (TiCl4)
Número CAS: 7550-45-0
El tetracloruro de titanio (TiCl4) es el precursor principal para la deposición CVD y ALD de películas delgadas que contienen titanio, incluyendo barreras de difusión TiN, dieléctricos de alta constante dieléctrica TiO2 y siliciuro de contacto TiSi2. El ALD de TiCl4 con NH3 o plasma de N2/H2 produce capas de barrera de TiN conformales en estructuras de capacitores de 3D NAND y DRAM. Su alta presión de vapor y estabilidad térmica lo hacen ideal para la fabricación de semiconductores de alto rendimiento.
Especificaciones Técnicas
| appearance | Líquido fumante incoloro a amarillo pálido |
| purity (%) | ≥99.999 (5N grado semiconductor) |
| boiling point | 136°C |
| water content | ≤5 ppm |
| metallic impurities (V, Fe, Al) | ≤0.5 ppm cada uno |
Aplicaciones
- Barrera de difusión TiN por ALD para cobre damasceno
- Electrodo de puerta TiN en CMOS de alta-k/puerta metálica
- Dieléctrico de alta-k TiO2 para capacitores DRAM
- Formación de siliciuro autoalineado (salicide) TiSi2
- Deposición de TiN en líneas de palabra de 3D NAND
Características Principales
- Pureza 5N que produce películas de TiN con excelentes propiedades de barrera contra la difusión de Cu
- Alta presión de vapor que permite la entrega de vapor a temperatura ambiente
- Cobertura escalonada conformal en estructuras 3D de alta relación de aspecto
- Sistemas de entrega en cilindro y ampolla disponibles para compatibilidad con herramientas de fabricación
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