Recubrimiento Antirreflectante Inferior (BARC)
El recubrimiento antirreflectante inferior (BARC) es una capa orgánica o inorgánica aplicada por centrifugación bajo la fotorresina para suprimir las ondas estacionarias y el muescado reflectivo causados por la reflectividad del sustrato durante la litografía UV y DUV. Al ajustar el espesor de la película y el índice de refracción (n, k), el BARC minimiza la luz reflejada en la interfaz resina/sustrato, mejorando la uniformidad de la CD, la resolución y la profundidad de foco en la fabricación de gran volumen.
Especificaciones Técnicas
| appearance | Solución para recubrimiento por centrifugación, transparente a ámbar |
| purity (%) | ≥99.5 (contenido de sólidos poliméricos) |
| film thickness | 20–100 nm (controlado por velocidad de centrifugación) |
| refractive index (n at 193nm) | 1.4–1.8 (ajustable) |
| extinction coefficient (k at 193nm) | 0.3–0.6 (ajustable) |
Aplicaciones
- Control de CD en litografía DUV ArF de 193nm
- Supresión de ondas estacionarias en litografía KrF de 248nm
- Capa subyacente para patronado EUV y EUV de alta NA
- Control de sustratos reflectivos de metal y polisilicio
- Capa intermedia del proceso de resina multicapa (MLR)
Características Principales
- Constantes ópticas ajustables para un control preciso de la reflectividad a cualquier longitud de onda de exposición
- Reticulación térmica rápida (200–250°C) que previene la mezcla con la resina superpuesta
- Alta tasa de grabado en seco que permite un retrograbado limpio sin efectos de carga de máscara
- Compatible con revelado TMAH estándar — se abre con la resina en un único paso de revelado
Send Inquiry
Más en Químicos para Grabado de Semiconductores
Acetona Grado Semiconductor (Remoción de Fotorresina)
67-64-1
Precursor ALD de Cloruro de Aluminio (AlCl3)
7446-70-0
Amoníaco Grado Semiconductor (NH3 para CVD de Nitruros)
7664-41-7
Fluoruro de Amonio Grado Semiconductor (NH4F 40%)
12125-01-8
Hidróxido de Amonio Grado Semiconductor (NH4OH SC-1)
1336-21-6
Gas Argón para Sputtering (Ar Ultra Puro)
7440-37-1
Grabador de Óxido Tamponado (BOE) NH4F/HF
7664-39-3
Suspensión de Ceria para CMP (Abrasivo de CeO2)
1306-38-3