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Fotorresist Positivo Novolac (línea g / línea i)

Los fotorresists positivos a base de novolac son el material de litografía clásico para exposición UV de línea g (436 nm) y línea i (365 nm) en la definición de patrones semiconductores. Compuestos por resina novolac y compuesto fotoactivo de diazanaftoquinona (DNQ) en disolvente PGMEA/PGME, ofrecen excelente resolución hasta 0.35 µm, alta resistencia al ataque y compatibilidad con reveladores estándar de TMAH. Ampliamente utilizados en procesos MEMS, de pantallas y CMOS heredados.

Especificaciones Técnicas

appearanceLíquido viscoso ámbar a ámbar oscuro
purity (%)≥99.5 (contenido de sólidos por formulación)
resolution≤0.35 µm (línea i)
viscosity (cP)10–10000 (múltiples grados disponibles)
sensitivity (mJ/cm2)80–150 (línea i, dosis hasta despeje)

Aplicaciones

  • Definición de patrones en capas de dispositivos MEMS (resist grueso >10 µm)
  • Fotolitografía TFT de pantallas (escáner de línea g / línea i)
  • Nodos de proceso CMOS heredados (0.35–1 µm)
  • Definición de patrones de metales por lift-off con perfil de corte inferior
  • Fotolitografía de circuitos impresos y empaquetado a nivel de oblea

Características Principales

  • Amplia latitud de proceso con amplias ventanas de dosis de exposición y profundidad de foco
  • Excelente adhesión en SiO2, Si3N4 y metales con imprimación HMDS
  • Alta resistencia al ataque por plasma para litografía de ataque seco exigente
  • Disponible en formulaciones de recubrimiento delgado (1–5 µm) y grueso (10–100 µm)

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