Químicos para Grabado de Semiconductores

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Acetona Grado Semiconductor (Remoción de Fotorresina)

CAS: 67-64-1

La acetona de grado semiconductor es un solvente cetónico ultrapuro utilizado para disolver y remover fotorresinas, limpiar residuos orgánicos de superficies de obleas y desprender patrones lift-off en procesos de MEMS y semiconductores compuestos. Su rápida tasa de evaporación y su fuerte poder solvente la hacen efectiva para la remoción rápida de fotorresinas antes de las secuencias de grabado húmedo.

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Precursor ALD de Cloruro de Aluminio (AlCl3)

CAS: 7446-70-0

El cloruro de aluminio anhidro (AlCl3) se utiliza como precursor de ALD (depósito por capa atómica) para depositar películas delgadas dieléctricas high-k de Al2O3 y películas que contienen aluminio en dispositivos semiconductores. En los procesos ALD, las exposiciones alternadas de AlCl3 y agua (u ozono) producen películas conformes de Al2O3 con control de espesor a nivel de monocapa, esenciales para dieléctricos de compuerta, dieléctricos de condensadores y capas de encapsulamiento.

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Amoníaco Grado Semiconductor (NH3 para CVD de Nitruros)

CAS: 7664-41-7

El amoníaco grado semiconductor (NH3) es la fuente de nitrógeno para el depósito por CVD y ALD de películas delgadas de nitruro de silicio (Si3N4), nitruro de titanio (TiN), nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de galio (GaN). En procesos LPCVD y PECVD con DCS o silano, el NH3 produce películas de nitruro conformes esenciales para detenedores de grabado, barreras de difusión y capas de pasivación en toda la fabricación de circuitos integrados.

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Fluoruro de Amonio Grado Semiconductor (NH4F 40%)

CAS: 12125-01-8

El fluoruro de amonio grado semiconductor (solución acuosa al 40%) es un componente clave en las formulaciones de grabado tamponado de óxido (BOE) y en la química de grabado de nitruro de silicio. Su calidad ultra pura asegura una contaminación metálica mínima en las superficies de las obleas. También se utiliza como tampón de pH y fuente de fluoruro en diversos baños de procesos húmedos.

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Hidróxido de Amonio Grado Semiconductor (NH4OH SC-1)

CAS: 1336-21-6

El hidróxido de amonio grado semiconductor (28–30% de NH3) es un componente clave de la solución de limpieza RCA SC-1 (NH4OH/H2O2/H2O) utilizada para la eliminación de partículas y contaminación orgánica de obleas de silicio. También realiza un ligero grabado de óxido de silicio para socavar y desprender partículas. Su calidad ultra pura previene la introducción de contaminación metálica durante la limpieza crítica previa al óxido de compuerta.

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Gas Argón para Sputtering (Ar Ultra Puro)

CAS: 7440-37-1

El argón (Ar) ultra puro es el principal gas de sputtering y portador en los procesos de deposición física de vapor (PVD), grabado por haz de iones y grabado por plasma en la fabricación de semiconductores. Los iones de argón se aceleran para bombardear blancos metálicos y dieléctricos en la deposición de películas delgadas (Al, Cu, Ti, TiN, TaN) o para realizar fresado iónico con Ar en la definición de patrones en dispositivos III-V y magnéticos.

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Recubrimiento Antirreflectante Inferior (BARC)

El recubrimiento antirreflectante inferior (BARC) es una capa orgánica o inorgánica aplicada por centrifugación bajo la fotorresina para suprimir las ondas estacionarias y el muescado reflectivo causados por la reflectividad del sustrato durante la litografía UV y DUV. Al ajustar el espesor de la película y el índice de refracción (n, k), el BARC minimiza la luz reflejada en la interfaz resina/sustrato, mejorando la uniformidad de la CD, la resolución y la profundidad de foco en la fabricación de gran volumen.

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Grabador de Óxido Tamponado (BOE) NH4F/HF

CAS: 7664-39-3

El Grabador de Óxido Tamponado (BOE) es una mezcla de fluoruro de amonio (NH4F) y ácido fluorhídrico (HF) que proporciona una velocidad de grabado estable y controlada para el dióxido de silicio. El tampón de fluoruro de amonio mantiene un pH constante y repone los iones fluoruro, lo que da lugar a velocidades de grabado de óxido más uniformes y reproducibles en comparación con el HF puro. Se utiliza ampliamente en procesos de fabricación de MEMS, CMOS y displays.

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Suspensión de Ceria para CMP (Abrasivo de CeO2)

CAS: 1306-38-3

La suspensión de ceria (óxido de cerio, CeO2) para CMP ofrece tasas de remoción de óxido ultra altas y una eficiencia de planarización excepcional para procesos de STI e ILD. Los abrasivos de ceria son químicamente reactivos con SiO2 mediante enlaces Ce-O-Si, lo que permite mayores tasas de remoción a menor fuerza descendente en comparación con las suspensiones de sílice. Su alta selectividad sobre el nitruro de silicio convierte a la ceria en el abrasivo preferido para CMP de STI en nodos lógicos avanzados.

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Acondicionador de Pad CMP con Punta de Diamante

Los acondicionadores de pad CMP utilizan abrasivos de diamante electrodepositados o soldados sobre un disco de acero inoxidable para acondicionar y retexturizar continuamente los pads de pulido CMP durante la planarización de obleas. El acondicionamiento regular elimina las superficies vidriadas del pad y restaura la estructura de microasperidades necesaria para un transporte de slurry y una tasa de remoción consistentes. Esencial para mantener la uniformidad en la tasa de remoción de pad a pad y de oblea a oblea.

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Suspensión de Sílice para CMP (SiO2 Pirogénica/Coloidal)

CAS: 7631-86-9

La suspensión de sílice para CMP contiene partículas abrasivas de dióxido de silicio pirogénico o coloidal altamente dispersas en un medio acuoso, utilizada para la planarización químico-mecánica de óxido de silicio (ILD), aislamiento por trincheras superficiales (STI) y capas de polisilicio. La combinación de abrasión mecánica y disolución química del óxido logra la planaridad global requerida para la fabricación de interconexiones metálicas multinivel.

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Gas de Grabado por Plasma Tetrafluoruro de Carbono (CF4)

CAS: 75-73-0

El tetrafluoruro de carbono (CF4) es un gas versátil de grabado por plasma utilizado para grabar óxido de silicio, nitruro de silicio y silicio en procesos de grabado en seco. Cuando se combina con oxígeno, graba SiO2 con alta selectividad; solo o con H2, se utiliza para grabado anisotrópico de silicio y nitruro. El CF4 también sirve como gas de limpieza de cámara y se utiliza en limpiezas remotas por plasma para reactores CVD.

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Sulfato de Cobre para Electrodeposición Damascena (CuSO4)

CAS: 7758-98-7

El sulfato de cobre pentahidratado de grado semiconductor (CuSO4·5H2O) es la principal fuente de iones de cobre en baños ácidos de electrodeposición para la fabricación de interconexiones de cobre damascenas y dual-damascenas. Utilizado en combinación con ácido sulfúrico, iones cloruro y aditivos orgánicos (acelerador, supresor, nivelador), permite el superllenado (rellenado de abajo hacia arriba) de vías y trincheras de alta relación de aspecto en procesos BEOL avanzados.

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Diclorosilano Precursor CVD (DCS, SiH2Cl2)

CAS: 4109-96-0

El diclorosilano (DCS, SiH2Cl2) es un precursor CVD ampliamente utilizado para depositar películas de alta calidad de nitruro de silicio (Si3N4), oxinitruro de silicio (SiON) y polisilicio en procesos LPCVD. La química DCS/NH3 a 750–800°C produce películas estequiométricas de Si3N4 con excelente uniformidad y propiedades eléctricas para espaciadores de compuerta, capas de detención de grabado y capas de almacenamiento de carga en memorias DRAM y flash.

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Dimetilsulfóxido Grado Semiconductor (DMSO)

CAS: 67-68-5

El dimetilsulfóxido (DMSO) grado semiconductor es un disolvente aprótico polar utilizado en formulaciones de desprendimiento de fotorresinas, especialmente como codisolvente con aminas para mejorar la eliminación de residuos poliméricos post-grabado y post-cenizado. Su alta polaridad y baja toxicidad en comparación con la NMP lo convierten en un disolvente cada vez más preferido en químicas de limpieza BEOL para nodos avanzados.

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Polímero de Fotorresist EUV de Luz Ultravioleta Extrema

El fotorresist EUV es un polímero de resist químicamente amplificado o con contenido metálico, optimizado para litografía de luz ultravioleta extrema (EUV) a 13.5 nm en la definición de patrones de dispositivos lógicos y de memoria sub-7 nm. Estos resists avanzados deben equilibrar los requisitos contrapuestos de sensibilidad, resolución y rugosidad del borde de línea (LWR/LER). Los resists EUV de óxido metálico (base Sn o base Hf) ofrecen mayor absorción de EUV y mejor resolución en comparación con las plataformas CAR orgánicas.

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Disolvente Removedor de Cordón de Borde (EBR) para Borde de Oblea

El removedor de cordón de borde (EBR) es una mezcla de disolventes formulada con precisión, utilizada para disolver y eliminar el cordón de fotorresina que se acumula en el borde de la oblea durante el recubrimiento por centrifugación. El EBR se dispensa en el borde frontal (EBR frontal) o en el borde posterior (EBR posterior) de la oblea en rotación inmediatamente después del recubrimiento con resina, evitando la contaminación por cordón de borde de los equipos de manipulación de obleas y mandriles durante las etapas posteriores de litografía.

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Níquel Químico Hipofosfito de Sodio (NaH2PO2)

CAS: 7681-53-0

El hipofosfito de sodio monohidratado (NaH2PO2·H2O) es el agente reductor en los baños de niquelado químico (EN), que permite la deposición autocatalítica de la aleación níquel-fósforo sin corriente externa. En el encapsulado de semiconductores, los acabados superficiales ENIG (Níquel Químico Oro por Inmersión) y ENEPIG dependen de baños EN basados en hipofosfito de sodio para proporcionar superficies soldables, aptas para wire bonding y resistentes a la corrosión en PCB y sustratos.

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Éter Monobutílico de Etilenglicol (EGBE) Solvente para Revelador

CAS: 111-76-2

El éter monobutílico de etilenglicol grado semiconductor (EGBE, también conocido como butil cellosolve) se utiliza como cosolvente en formulaciones de revelador de fotorresistente y como agente de limpieza para equipos y accesorios. Su velocidad de evaporación moderada y compatibilidad con reveladores alcalinos acuosos lo hacen útil para optimizar la propagación y uniformidad del revelador en superficies de obleas.

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Solución de Galvanoplastia de Cianuro de Oro (KAu(CN)2)

CAS: 13967-50-5

El cianuro de oro y potasio (KAu(CN)2) es la principal sal de oro utilizada en baños de galvanoplastia de oro para semiconductores, para el recubrimiento de almohadillas de wire bonding, acabado de contactos de conectores y metalización de dispositivos optoelectrónicos. Su complejo cianurado estable proporciona depósitos de oro lisos y brillantes con excelente compatibilidad de wire bonding y resistencia a la corrosión. Se utiliza tanto en formulaciones de baño ácido como de pH neutro.

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Hexametildisilazano (HMDS) Promotor de Adhesión

CAS: 999-97-3

El hexametildisilazano (HMDS) es el promotor de adhesión universal para fotorresistas utilizado en litografía de semiconductores. Aplicado mediante imprimación por vapor (vapor prime) o spin-coat antes del recubrimiento del fotorresista, el HMDS reacciona con los grupos OH superficiales para formar una monocapa hidrofóbica de trimetilsililo (TMS), mejorando drásticamente la adhesión del fotorresista sobre superficies de óxido y nitruro y previniendo la delaminación del patrón durante el revelado.

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Ácido Clorhídrico Grado Semiconductor (HCl 37%)

CAS: 7647-01-0

El ácido clorhídrico grado semiconductor (37%) es un químico crítico en la limpieza RCA SC-2 para la eliminación de iones metálicos y el ataque químico de óxidos. Forma complejos con metales pesados y los elimina de las superficies de obleas, y se utiliza en mezclas HCl/H2O2/H2O (SC-2) para eliminar metales alcalinos y la contaminación por metales pesados antes de las etapas en hornos de oxidación.

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Ácido Fluorhídrico Grado Semiconductor (HF 49%)

CAS: 7664-39-3

El ácido fluorhídrico grado semiconductor (49% HF) es una solución acuosa ultra pura utilizada para el ataque químico de óxido de silicio, la eliminación del óxido nativo y la limpieza de superficies de obleas. Cumple con las especificaciones de pureza SEMI C1 o SEMI C8 con impurezas metálicas a niveles sub-ppb. Crítico para los procesos de ataque químico en húmedo del front-end-of-line (FEOL) en la fabricación de circuitos integrados.

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Peróxido de Hidrógeno Grado Semiconductor (H2O2 30%)

CAS: 7722-84-1

El peróxido de hidrógeno grado semiconductor (30%) es un agente oxidante esencial utilizado en los procesos de limpieza de obleas RCA SC-1 y SC-2 para eliminar la contaminación orgánica e iónica. Cuando se mezcla con hidróxido de amonio (SC-1) elimina partículas y materia orgánica; con HCl (SC-2) disuelve iones metálicos. También es un componente clave de la limpieza piraña SPM.

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Isopropanol Grado Semiconductor (IPA Ultra-Puro)

CAS: 67-63-0

El isopropanol (IPA) grado semiconductor es un solvente ultra-puro utilizado para el secado de obleas (secado Marangoni), la dilución de fotorresinas, la limpieza de superficies de equipos y como solvente de enjuague final en procesos de bancos húmedos. Su bajo contenido de agua y sus niveles de impurezas metálicas por debajo del ppb lo hacen apto para aplicaciones críticas de limpieza de semiconductores tanto en etapas iniciales como finales.

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N-Metil-2-Pirrolidona Grado Semiconductor (NMP)

CAS: 872-50-4

La N-Metil-2-Pirrolidona (NMP) de grado semiconductor es un solvente aprótico polar de alto punto de ebullición ampliamente utilizado como removedor de fotorresistentes y eliminador de residuos en procesos de extremo posterior de línea (BEOL). Su excelente capacidad de disolución para resinas entrecruzadas y su baja presión de vapor lo hacen ideal para equipos de limpieza por centrifugación de oblea individual y baños de remoción por inmersión. El grado de ultrapureza garantiza la ausencia de contaminación metálica en las capas de interconexión.

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Solución de Galvanoplastia de Sulfonato de Níquel

CAS: 13770-89-3

El sulfonato de níquel (Ni(SO3NH2)2) es la sal de níquel preferida para aplicaciones de galvanoplastia que requieren bajo estrés interno, alta dureza del depósito y excelente ductilidad. En el empaquetado de semiconductores, se utiliza para electroformado MEMS, metalización bajo contacto (UBM) y fabricación de actuadores magnéticos. Sus depósitos de bajo estrés son críticos para microestructuras LIGA de alta relación de aspecto.

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Ácido Nítrico Grado Semiconductor (HNO3 69%)

CAS: 7697-37-2

El ácido nítrico grado semiconductor (69%) se utiliza en química de grabado de silicio, oxidación de superficies metálicas y procesos de limpieza de obleas. En combinación con HF, forma la mezcla estándar de grabado de silicio (HNA: HF/HNO3/HAc) para grabado isótropo de silicio. Su formulación ultrapura cumple con los estándares SEMI C1 con contenido de metales traza inferior a 1 ppb.

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Gas de Limpieza de Cámara de Trifluoruro de Nitrógeno (NF3)

CAS: 7783-54-2

El trifluoruro de nitrógeno (NF3) es el gas de limpieza de cámara por plasma remoto preferido para reactores CVD y ALD, sustituyendo al C2F6 y CF4 debido a su superior perfil de potencial de calentamiento global (GWP) y mayor eficiencia de utilización. El plasma de NF3 genera radicales F reactivos que eliminan eficientemente los depósitos basados en silicio (SiO2, Si3N4, a-Si) de las paredes de la cámara CVD sin requerir exposición de la oblea, reduciendo drásticamente el tiempo de inactividad de la cámara.

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Gas de Grabado Dieléctrico de Octafluorociclobutano (c-C4F8)

CAS: 115-25-3

El octafluorociclobutano (c-C4F8) es un gas fluorocarbonado utilizado como química de grabado dieléctrico primaria para el grabado por plasma de óxido y nitruro de alta selectividad en la estructuración avanzada de semiconductores. Su alta relación C:F genera precursores formadores de polímero en el plasma que pasivan las paredes laterales y las superficies de silicio, proporcionando una selectividad excepcional SiO2/Si. También se utiliza como gas de pasivación en los ciclos de grabado DRIE Bosch de silicio.

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Activación de Recubrimiento con Cloruro de Paladio (PdCl2)

CAS: 13138-48-2

La solución de cloruro de paladio (PdCl2) se utiliza como catalizador de activación para el recubrimiento autocatalítico sobre sustratos no conductores y para sensibilizar superficies previo a la deposición autocatalítica de níquel o cobre. En el empaquetado de semiconductores, permite la deposición selectiva de metal sobre superficies dieléctricas para vías de PCB, empaquetado a nivel de oblea y fabricación de sustratos avanzados.

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Ácido Fosfórico Grado Semiconductor (H3PO4 85%)

CAS: 7664-38-2

El ácido fosfórico grado semiconductor (85%) es el agente de ataque húmedo estándar para nitruro de silicio (Si3N4) con alta selectividad sobre el dióxido de silicio y el silicio. Cuando se calienta a 160–180°C, ataca selectivamente el Si3N4 a velocidades de 50–100 Å/min, lo que lo hace esencial para la integración de procesos STI y LOCOS. La calidad ultrapura minimiza la contaminación por partículas y metales.

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Solución Piranha - Mezcla de Peróxido Sulfúrico (SPM)

La solución piranha (SPM: mezcla de ácido sulfúrico/peróxido de hidrógeno, típicamente H2SO4:H2O2 = 3:1 a 7:1 v/v) es una solución de limpieza altamente oxidante utilizada para eliminar contaminación orgánica severa, residuos de fotorresistencia y partículas metálicas de las superficies de obleas de silicio. La mezcla exotérmica genera ácido peroxomonosulfúrico (ácido de Caro), que oxida agresivamente la materia orgánica. Se utiliza tanto en herramientas SPM de proceso por lotes como de oblea individual.

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Revelador de Fotorresistencia Positiva CD-26 (TMAH 2.38%)

CAS: 75-59-2

El revelador de fotorresistencia CD-26 es una solución acuosa de hidróxido de tetrametilamonio (TMAH) al 2.38% con formulación de precisión, que constituye el revelador estándar de la industria para fotorresistencias de tono positivo tipo novolac y amplificadas químicamente. La química libre de iones metálicos elimina la contaminación por metales alcalinos, y la concentración precisa de TMAH proporciona un contraste de revelado predecible, reproducible y un control de CD consistente.

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Fotorresist Positivo Novolac (línea g / línea i)

Los fotorresists positivos a base de novolac son el material de litografía clásico para exposición UV de línea g (436 nm) y línea i (365 nm) en la definición de patrones semiconductores. Compuestos por resina novolac y compuesto fotoactivo de diazanaftoquinona (DNQ) en disolvente PGMEA/PGME, ofrecen excelente resolución hasta 0.35 µm, alta resistencia al ataque y compatibilidad con reveladores estándar de TMAH. Ampliamente utilizados en procesos MEMS, de pantallas y CMOS heredados.

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Solución de Hidróxido de Potasio para Grabado Anisótropo de Silicio (KOH)

CAS: 1310-58-3

La solución acuosa de hidróxido de potasio (KOH) es el agente de grabado anisótropo de silicio clásico utilizado en la fabricación de MEMS, que ofrece una selectividad extremadamente alta entre planos cristalográficos. Las concentraciones típicas de 20–40% en peso a 70–80°C proporcionan velocidades de grabado bien controladas con una excelente selectividad {100}/{111} superior a 100:1. El KOH es el agente de grabado preferido para dispositivos MEMS no-CMOS donde la contaminación por metales alcalinos es aceptable.

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Acetato de Propilenglicol Monometil Éter (PGMEA)

CAS: 108-65-6

El PGMEA (acetato de propilenglicol monometil éter) es el solvente dominante para fotorresistentes utilizado en procesos avanzados de litografía para formulaciones de resina fotosensible a 193 nm y EUV. Su velocidad de evaporación óptima, excelente poder de disolución de resinas y baja toxicidad lo convierten en el solvente de colado estándar de la industria para resinas positivas y negativas. El grado ultra-puro para semiconductores minimiza los defectos y garantiza una uniformidad de película consistente.

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Reactivo de Limpieza RCA SC-1 (NH4OH/H2O2/H2O)

El RCA SC-1 (Limpieza Estándar 1, APM: Mezcla de Amoniaco y Peróxido) es un sistema de limpieza listo para usar o suministrado por componentes que emplea NH4OH:H2O2:H2O (1:1:5 a 1:2:10 v/v) a 65–80°C para eliminar partículas y contaminación orgánica ligera de superficies de obleas de silicio. El componente de ataque suave al óxido desprende las partículas mientras el H2O2 oxida la materia orgánica, logrando niveles de partículas inferiores a 0.1 recuentos/cm² tras la limpieza.

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Fotorresist Negativo Epoxi SU-8

El SU-8 es un fotorresist de tono negativo, químicamente amplificado y de base epoxi, capaz de producir microestructuras muy gruesas (1–500 µm) y de alta relación de aspecto (>20:1) con paredes laterales casi verticales. Ampliamente adoptado para la fabricación de MEMS, microfluídica y empaquetado avanzado, el SU-8 se retícula con exposición UV o UV cercano para formar una estructura permanente o de sacrificio química y mecánicamente robusta, adecuada para aplicaciones exigentes.

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Silano (Monosilano) Precursor CVD (SiH4)

CAS: 7803-62-5

El monosilano (SiH4) es el precursor fundamental de CVD de silicio utilizado para depositar puertas de polisilicio, silicio epitaxial, nitruro de silicio PECVD (con NH3), óxido de silicio PECVD (con N2O/O2) y películas delgadas de silicio amorfo. También es el precursor de nucleación para CVD de tungsteno (WF6/SiH4) y procesos de deposición de dieléctricos a base de silicio en toda la industria de semiconductores.

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Vidrio de Recubrimiento Centrifugado Silicato (Planarización SOG Silicato)

El vidrio de recubrimiento centrifugado (SOG) de silicato es un material dieléctrico inorgánico aplicable por centrifugación basado en precursores de ortosilicato de silicio en un solvente alcohólico. Tras el recubrimiento por centrifugación y el curado a 400–450°C, forma una película densa de SiO2 para la planarización por relleno de huecos entre líneas metálicas en procesos BEOL. El SOG de silicato proporciona excelente capacidad de relleno de huecos para espacios de alta relación de aspecto, pero requiere retrograbado para evitar el agrietamiento en aplicaciones de gran espesor.

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Vidrio de Recubrimiento Centrifugado Siloxano (Dieléctrico SOG Siloxano)

El vidrio de recubrimiento centrifugado (SOG) de siloxano incorpora grupos de metil- o fenilsiloxano en la red de SiO2, proporcionando una constante dieléctrica más baja (k = 2,7–3,5) y menor absorción de humedad en comparación con el SOG de silicato puro. Los grupos orgánicos Si-CH3 reducen la fragilidad de la película y permiten recubrimientos más gruesos sin agrietamiento, lo que hace que el SOG de siloxano sea adecuado para aplicaciones ILD de baja k en procesos de interconexión avanzados.

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Hexafluoruro de Azufre para Grabado de Silicio por Plasma (SF6)

CAS: 2551-62-4

El hexafluoruro de azufre (SF6) es un gas de alto contenido en flúor ampliamente utilizado como agente de grabado principal en procesos de grabado de silicio por plasma, incluido el grabado profundo por iones reactivos (DRIE) para MEMS, el grabado de trincheras de silicio y el perfilado de puertas de polisilicio. En el proceso Bosch DRIE, el SF6 alterna con ciclos de pasivación con C4F8 para lograr trincheras de silicio ultraprofundas de alta relación de aspecto con paredes laterales verticales.

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Ácido Sulfúrico Grado Semiconductor (H2SO4 96%)

CAS: 7664-93-9

El ácido sulfúrico grado semiconductor (96%) es un reactivo químico primario utilizado en la limpieza SPM (mezcla de ácido sulfúrico/peróxido de hidrógeno, piranha) para eliminar fotorresistentes orgánicos y contaminantes de la superficie de obleas. Su altísima pureza garantiza la no introducción de impurezas metálicas durante las etapas críticas de limpieza. También se utiliza en baños de electrodeposición para procesos de cobre damasceno.

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Tetraetil Ortosilicato (TEOS) Precursor CVD

CAS: 78-10-4

El tetraetil ortosilicato (TEOS, Si(OC2H5)4) es el precursor dominante para la deposición de dióxido de silicio por CVD en la fabricación de semiconductores. Los procesos PECVD y SACVD basados en TEOS depositan películas de SiO2 de alta calidad con excelente cobertura escalonada y conformidad a temperaturas de 300–750°C. El óxido TEOS se utiliza como ILD, revestimiento de zanja STI, espaciador y máscara dura en los procesos de front-end y back-end de CMOS.

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Hidróxido de Tetrametilamonio (TMAH 25%)

CAS: 75-59-2

El hidróxido de tetrametilamonio (TMAH, 25% acuoso) es un agente de grabado alcalino libre de iones metálicos que graba anisotrópicamente el silicio a lo largo de planos cristalinos, proporcionando alta selectividad entre los planos {100} y {111}. Es ampliamente utilizado en el micromaquinado de MEMS para la fabricación de membranas, micropalancas y microestructuras. Como alternativa compatible con CMOS al KOH, el TMAH no introduce contaminación por metales alcalinos.

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Tetracloruro de Titanio Precursor CVD/ALD (TiCl4)

CAS: 7550-45-0

El tetracloruro de titanio (TiCl4) es el precursor principal para la deposición CVD y ALD de películas delgadas que contienen titanio, incluyendo barreras de difusión TiN, dieléctricos de alta constante dieléctrica TiO2 y siliciuro de contacto TiSi2. El ALD de TiCl4 con NH3 o plasma de N2/H2 produce capas de barrera de TiN conformales en estructuras de capacitores de 3D NAND y DRAM. Su alta presión de vapor y estabilidad térmica lo hacen ideal para la fabricación de semiconductores de alto rendimiento.

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Dietilamino Trimetilsilano (TMSDEA) Agente de Sililación

CAS: 996-50-9

El dietilamino trimetilsilano (TMSDEA) es un reactivo de sililación utilizado en litografía de semiconductores para modificar la química superficial de fotorresistencias y mejorar la adhesión. Como agente de tratamiento superficial para procesos de fotorresistencia sililada (p. ej., proceso DESIRE), convierte los grupos OH de las superficies de fotorresistencia en grupos OSi(CH3)3, mejorando la selectividad de grabado. También se emplea en la funcionalización de superficies ALD y en la reparación de superficies dieléctricas de baja constante k.

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Hexafluoruro de Tungsteno Precursor CVD (WF6)

CAS: 7783-82-6

El hexafluoruro de tungsteno (WF6) es el precursor CVD estándar para la deposición de películas de tungsteno metálico utilizadas como contactos plug, interconexiones locales y wordlines en memorias DRAM y NAND flash. Reaccionado con SiH4 (capa de nucleación) seguido de reducción con H2, el WF6 deposita tungsteno metálico de alta pureza y baja resistividad que rellena contactos de menos de 100 nm con una excelente cobertura libre de huecos.

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Reactivo de Limpieza de Obleas SC-2 (HCl/H2O2/H2O)

El SC-2 RCA (Limpieza Estándar 2, HPM: Mezcla de Ácido Clorhídrico-Peróxido) utiliza HCl:H2O2:H2O (1:1:6 v/v) a 65–80°C para eliminar metales alcalinos (Na, K) y contaminación por metales pesados (Au, Cu, Fe) de las superficies de obleas de silicio mediante la formación de complejos clorometálicos. El SC-2 es el segundo paso en la secuencia de limpieza RCA estándar, realizado después del SC-1 para alcanzar niveles de metales sub-ppb esenciales para óxidos de puerta de alta integridad.