Hexafluoruro de Azufre para Grabado de Silicio por Plasma (SF6)
Número CAS: 2551-62-4
El hexafluoruro de azufre (SF6) es un gas de alto contenido en flúor ampliamente utilizado como agente de grabado principal en procesos de grabado de silicio por plasma, incluido el grabado profundo por iones reactivos (DRIE) para MEMS, el grabado de trincheras de silicio y el perfilado de puertas de polisilicio. En el proceso Bosch DRIE, el SF6 alterna con ciclos de pasivación con C4F8 para lograr trincheras de silicio ultraprofundas de alta relación de aspecto con paredes laterales verticales.
Especificaciones Técnicas
| oxygen | ≤1 ppm |
| moisture | ≤1 ppm |
| appearance | Gas incoloro e inodoro |
| purity (%) | ≥99.999 (5N grado semiconductor) |
| CF4 and other fluorocarbons | ≤5 ppm |
Aplicaciones
- Grabado profundo de trincheras de silicio Bosch DRIE (MEMS)
- Grabado isótropo de silicio por plasma para estructuras de liberación
- Grabado de puertas de polisilicio y máscara dura
- Grabado de TSV (vía de silicio pasante)
- Corte de obleas de silicio por singulación por plasma
Características Principales
- Alto rendimiento de átomos de flúor en plasma para velocidades de grabado de silicio rápidas (>10 µm/min DRIE)
- Excelente selectividad sobre máscaras de SiO2 y fotorresist en grabados de baja presión
- Habilitador crítico para el proceso Bosch que logra estructuras MEMS con relación de aspecto >50:1
- Disponible en cilindros de gas licuado de alta presión para herramientas DRIE de alto volumen
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