Gas de Grabado Dieléctrico de Octafluorociclobutano (c-C4F8)
Número CAS: 115-25-3
El octafluorociclobutano (c-C4F8) es un gas fluorocarbonado utilizado como química de grabado dieléctrico primaria para el grabado por plasma de óxido y nitruro de alta selectividad en la estructuración avanzada de semiconductores. Su alta relación C:F genera precursores formadores de polímero en el plasma que pasivan las paredes laterales y las superficies de silicio, proporcionando una selectividad excepcional SiO2/Si. También se utiliza como gas de pasivación en los ciclos de grabado DRIE Bosch de silicio.
Especificaciones Técnicas
| oxygen | ≤1 ppm |
| moisture | ≤1 ppm |
| appearance | Gas incoloro (licuado bajo presión) |
| purity (%) | ≥99.999 (grado semiconductor 5N) |
| non-condensable gases | ≤10 ppm |
Aplicaciones
- Grabado por plasma de SiO2 de alta selectividad para contactos y vías
- Ciclo de pasivación DRIE Bosch (alternando con SF6)
- Grabado de SiN y dieléctrico de baja k en BEOL avanzado
- Grabado de óxido de máscara dura para estructuración de aletas y compuertas
- Grabado de óxido a silicio de selectividad extrema (>100:1)
Características Principales
- Mayor relación C:F entre los fluorocarburos comunes para máxima pasivación polimérica
- Permite una selectividad óxido-a-silicio superior a 100:1 en procesos de grabado de contacto
- Esencial para la pasivación de paredes laterales en DRIE Bosch que logra perfiles verticales
- Suministro en fase líquida que simplifica las aplicaciones de alto caudal en equipos de grabado de producción
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