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Gas de Grabado por Plasma Tetrafluoruro de Carbono (CF4)

Número CAS: 75-73-0

El tetrafluoruro de carbono (CF4) es un gas versátil de grabado por plasma utilizado para grabar óxido de silicio, nitruro de silicio y silicio en procesos de grabado en seco. Cuando se combina con oxígeno, graba SiO2 con alta selectividad; solo o con H2, se utiliza para grabado anisotrópico de silicio y nitruro. El CF4 también sirve como gas de limpieza de cámara y se utiliza en limpiezas remotas por plasma para reactores CVD.

Especificaciones Técnicas

oxygen≤2 ppm
moisture≤1 ppm
nitrogen≤5 ppm
appearanceGas incoloro e inodoro
purity (%)≥99.999 (grado semiconductor 5N)

Aplicaciones

  • Grabado por plasma de SiO2 y Si3N4 (con O2 o H2)
  • Grabado por plasma de silicio y limpieza de superficie
  • Limpieza por plasma remoto de cámara CVD
  • Grabado de óxido de contactos y vías en CMOS
  • Grabado en seco de semiconductores compuestos (GaAs, InP)

Características Principales

  • Química de grabado versátil compatible con procesos de óxido, nitruro y silicio
  • Selectividad ajustable mediante la adición de O2 (más selectivo al óxido) o H2 (más selectivo al nitruro)
  • Menor GWP que el SF6 para ciertas aplicaciones de baja velocidad de grabado
  • No inflamable y no tóxico; más fácil de manipular que los grabadores basados en flúor

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Gas de Grabado por Plasma Tetrafluoruro de Carbono (CF4) chemical structure

CAS Number

75-73-0

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