Precursor ALD de Cloruro de Aluminio (AlCl3)
Número CAS: 7446-70-0
El cloruro de aluminio anhidro (AlCl3) se utiliza como precursor de ALD (depósito por capa atómica) para depositar películas delgadas dieléctricas high-k de Al2O3 y películas que contienen aluminio en dispositivos semiconductores. En los procesos ALD, las exposiciones alternadas de AlCl3 y agua (u ozono) producen películas conformes de Al2O3 con control de espesor a nivel de monocapa, esenciales para dieléctricos de compuerta, dieléctricos de condensadores y capas de encapsulamiento.
Especificaciones Técnicas
| appearance | Polvo cristalino blanco a amarillo pálido |
| purity (%) | ≥99.999 (5N, anhidro) |
| water content | ≤10 ppm |
| sublimation point | 178°C (a 1 atm) |
| metallic impurities (Fe, Si, Na) | ≤0.5 ppm cada uno |
Aplicaciones
- ALD de dieléctrico de compuerta high-k de Al2O3
- Depósito de dieléctrico de Al2O3 para condensadores DRAM
- Capa de encapsulamiento para OLED y electrónica flexible
- Capa de detención de grabado y barrera de Al2O3
- Preparación de superficie catalítica para ALD selectivo
Características Principales
- Ultra alta pureza 5N para películas ALD dieléctricas high-k sin defectos
- La alta presión de vapor simplifica la entrega a temperaturas moderadas (100–150°C)
- Produce Al2O3 denso con baja densidad de estados de interfaz
- Envasado bajo atmósfera inerte en ampollas para una entrega libre de contaminación
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