Tetraetil Ortosilicato (TEOS) Precursor CVD

Name: Tetraetil Ortosilicato (TEOS) Precursor CVD
Brand: Chemzip
Price: 1 USD
Availability: InStock

Número CAS: 78-10-4

El tetraetil ortosilicato (TEOS, Si(OC2H5)4) es el precursor dominante para la deposición de dióxido de silicio por CVD en la fabricación de semiconductores. Los procesos PECVD y SACVD basados en TEOS depositan películas de SiO2 de alta calidad con excelente cobertura escalonada y conformidad a temperaturas de 300–750°C. El óxido TEOS se utiliza como ILD, revestimiento de zanja STI, espaciador y máscara dura en los procesos de front-end y back-end de CMOS.

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Especificaciones Técnicas

appearance	Líquido claro incoloro
purity (%)	≥99.999 (5N, grado semiconductor)
boiling point	168°C
water content	≤10 ppm
metallic impurities	≤0.1 ppb cada uno

Aplicaciones

Deposición de ILD de SiO2 por PECVD para BEOL
Relleno de huecos TEOS por CVD sub-atmosférico (SACVD)
Revestimiento y óxido de relleno de zanja STI
Espaciador y óxido lateral en el proceso de puerta CMOS
Deposición de máscara dura para patrones de grabado

Características Principales

Pureza 5N que permite aplicaciones de óxido de puerta y óxido túnel de alta confiabilidad
Precursor líquido estable con baja presión de vapor para un control de flujo preciso
Produce SiO2 denso y con baja densidad de defectos con excelentes propiedades eléctricas
Compatible con químicas oxidantes de O3, O2 y N2O para diversos procesos CVD