Diclorosilano Precursor CVD (DCS, SiH2Cl2)
Número CAS: 4109-96-0
El diclorosilano (DCS, SiH2Cl2) es un precursor CVD ampliamente utilizado para depositar películas de alta calidad de nitruro de silicio (Si3N4), oxinitruro de silicio (SiON) y polisilicio en procesos LPCVD. La química DCS/NH3 a 750–800°C produce películas estequiométricas de Si3N4 con excelente uniformidad y propiedades eléctricas para espaciadores de compuerta, capas de detención de grabado y capas de almacenamiento de carga en memorias DRAM y flash.
Especificaciones Técnicas
| oxygen | ≤0,5 ppm |
| moisture | ≤0,5 ppm |
| appearance | Gas inflamable incoloro |
| purity (%) | ≥99,999 (grado semiconductor 5N) |
| metallic impurities | ≤0,1 ppb cada uno |
Aplicaciones
- Espaciador de compuerta Si3N4 LPCVD y detención de grabado
- Nitruro de almacenamiento de carga en capacitores DRAM
- Dieléctrico de compuerta SiON (óxido nitrurado)
- Dieléctrico ONO inter-poli en memorias flash
- Capa de pasivación de nitruro de silicio PECVD
Características Principales
- Precursor preferido para Si3N4 estequiométrico por LPCVD con bajo contenido de hidrógeno
- Baja temperatura de deposición frente al triclorosilano que reduce el presupuesto térmico
- Excelente uniformidad dentro de la oblea y entre obleas en hornos LPCVD por lotes
- Disponible en cilindros de alta presión con válvulas y accesorios de ultra alta pureza
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