Silano (Monosilano) Precursor CVD (SiH4)
Número CAS: 7803-62-5
El monosilano (SiH4) es el precursor fundamental de CVD de silicio utilizado para depositar puertas de polisilicio, silicio epitaxial, nitruro de silicio PECVD (con NH3), óxido de silicio PECVD (con N2O/O2) y películas delgadas de silicio amorfo. También es el precursor de nucleación para CVD de tungsteno (WF6/SiH4) y procesos de deposición de dieléctricos a base de silicio en toda la industria de semiconductores.
Especificaciones Técnicas
| oxygen | ≤0.1 ppm |
| moisture | ≤0.1 ppm |
| appearance | Gas inflamable incoloro |
| purity (%) | ≥99.9999 (6N grado semiconductor) |
| metallic impurities | ≤0.01 ppb cada uno |
Aplicaciones
- Deposición CVD de puertas y resistencias de polisilicio
- Pasivación PECVD de SiN y SiO2 e ILD
- Crecimiento de capas de silicio epitaxial (SiH4/H2)
- Capa de nucleación CVD de tungsteno (WF6/SiH4)
- Capa activa TFT de silicio amorfo (visualización)
Características Principales
- Pureza ultraalta 6N para polisilicio y películas epitaxiales con baja densidad de defectos
- Gas pirofórico que requiere manejo especializado; suministrado con conexiones de purga de seguridad
- Bajo contenido de humedad y oxígeno garantiza interfaces de película nítidas y baja carga fija
- Disponible en cilindros de alta presión y remolques tubulares para fábricas de alto consumo
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