Amoníaco Grado Semiconductor (NH3 para CVD de Nitruros)
Número CAS: 7664-41-7
El amoníaco grado semiconductor (NH3) es la fuente de nitrógeno para el depósito por CVD y ALD de películas delgadas de nitruro de silicio (Si3N4), nitruro de titanio (TiN), nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de galio (GaN). En procesos LPCVD y PECVD con DCS o silano, el NH3 produce películas de nitruro conformes esenciales para detenedores de grabado, barreras de difusión y capas de pasivación en toda la fabricación de circuitos integrados.
Especificaciones Técnicas
| oxygen | ≤0.1 ppm |
| moisture | ≤0.1 ppm |
| appearance | Gas incoloro con olor característico |
| purity (%) | ≥99.9999 (6N grado semiconductor) |
| metallic impurities | ≤0.01 ppb cada uno |
Aplicaciones
- Depósito LPCVD/PECVD de Si3N4 con DCS o SiH4
- Fuente de nitrógeno para ALD de TiN con TiCl4
- Crecimiento epitaxial de GaN y AlN (MOCVD)
- Nitruración de óxido de silicio para compuerta de oxinitruro
- Alternativa de gas formador para recocido posterior a la metalización (PMA)
Características Principales
- Ultra alta pureza 6N para depósito de películas de nitruro sin defectos
- Humedad ultra baja que evita la incorporación indeseada de óxidos en películas de nitruro
- Compatible con hornos LPCVD por lotes y cámaras PECVD de una sola oblea
- Disponible en suministro líquido a granel y cilindros de alta presión según los requerimientos de la fábrica
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