Vidrio de Recubrimiento Centrifugado Siloxano (Dieléctrico SOG Siloxano)
El vidrio de recubrimiento centrifugado (SOG) de siloxano incorpora grupos de metil- o fenilsiloxano en la red de SiO2, proporcionando una constante dieléctrica más baja (k = 2,7–3,5) y menor absorción de humedad en comparación con el SOG de silicato puro. Los grupos orgánicos Si-CH3 reducen la fragilidad de la película y permiten recubrimientos más gruesos sin agrietamiento, lo que hace que el SOG de siloxano sea adecuado para aplicaciones ILD de baja k en procesos de interconexión avanzados.
Especificaciones Técnicas
| appearance | Solución límpida incolora a ligeramente amarillenta |
| purity (%) | ≥99.5 (contenido de polímero de siloxano) |
| cure temperature | 200–400°C |
| cured film hardness (GPa) | 1.5–3.0 |
| dielectric constant (cured) | 2.7–3.5 |
Aplicaciones
- ILD de baja k para dieléctrico de interconexión BEOL
- Relleno de huecos grueso sin formación de grietas
- Alternativa al silsesquioxano de hidrógeno (HSQ) para baja k
- Capa de aislamiento y pasivación MEMS
- Recubrimiento dieléctrico de baja k para empaquetado avanzado
Características Principales
- Constante dieléctrica más baja (k<3,5) reduce el retardo RC en interconexiones metálicas
- Mejor resistencia al agrietamiento permite películas de hasta 1 µm sin retrograbado
- Buena estabilidad térmica hasta 450°C para compatibilidad con procesos de Al y Cu
- Contenido orgánico ajustable para el ajuste del valor k y las propiedades mecánicas
Send Inquiry
Más en Químicos para Grabado de Semiconductores
Acetona Grado Semiconductor (Remoción de Fotorresina)
67-64-1
Precursor ALD de Cloruro de Aluminio (AlCl3)
7446-70-0
Amoníaco Grado Semiconductor (NH3 para CVD de Nitruros)
7664-41-7
Fluoruro de Amonio Grado Semiconductor (NH4F 40%)
12125-01-8
Hidróxido de Amonio Grado Semiconductor (NH4OH SC-1)
1336-21-6
Gas Argón para Sputtering (Ar Ultra Puro)
7440-37-1
Recubrimiento Antirreflectante Inferior (BARC)
Grabador de Óxido Tamponado (BOE) NH4F/HF
7664-39-3