Polímero de Fotorresist EUV de Luz Ultravioleta Extrema
El fotorresist EUV es un polímero de resist químicamente amplificado o con contenido metálico, optimizado para litografía de luz ultravioleta extrema (EUV) a 13.5 nm en la definición de patrones de dispositivos lógicos y de memoria sub-7 nm. Estos resists avanzados deben equilibrar los requisitos contrapuestos de sensibilidad, resolución y rugosidad del borde de línea (LWR/LER). Los resists EUV de óxido metálico (base Sn o base Hf) ofrecen mayor absorción de EUV y mejor resolución en comparación con las plataformas CAR orgánicas.
Especificaciones Técnicas
| LWR (3σ) | ≤2.5 nm |
| appearance | Solución transparente a ámbar pálido en PGMEA |
| purity (%) | ≥99.9 (sólidos de polímero en disolvente de colada) |
| resolution | ≤13 nm HP (paso medio) |
| sensitivity (mJ/cm2) | 15–40 (dosis EUV hasta tamaño nominal) |
Aplicaciones
- Litografía de capas críticas en nodos lógicos sub-7 nm
- Litografía EUV de condensadores y líneas de bits en DRAM
- EUV para selección de cadena y contacto en NAND flash
- Resist para EUV de alta apertura numérica (0.55NA) en nodos avanzados
- Litografía EUV de impresión directa con exposición única
Características Principales
- Optimizado para escáneres EUV de 13.5 nm (plataformas ASML NXE y EXE)
- Alto coeficiente de absorción EUV para mayor eficiencia fotónica
- Baja desgasificación para prevenir la contaminación de los espejos en escáneres EUV
- Compatible con revelador estándar TMAH al 2.38% o reveladores de disolvente de nueva generación
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