半导体蚀刻化学品
共 50 个产品
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semiconductor etching chemicals
半导体级异丙醇（IPA超纯级）
CAS: 67-63-0
半导体级异丙醇（IPA）是超纯溶剂，用于晶圆干燥（马兰戈尼干燥）、光刻胶稀释、设备表面清洁及湿法工艺台最终冲洗溶剂。其低水分含量和亚ppb级金属杂质使其适用于前段和后段半导体关键清洗应用。
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半导体级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）
CAS: 872-50-4
半导体级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）是高沸点极性非质子溶剂，广泛用于后段（BEOL）工艺中的光刻胶剥离和残留物去除。对交联光刻胶的优异溶解性和低蒸气压使其适用于单片晶圆旋转清洗设备和浸泡剥离槽。超纯级确保互连层无金属污染。
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氨基磺酸镍电镀液
CAS: 13770-89-3
氨基磺酸镍（Ni(SO3NH2)2）是需要低内应力、高沉积硬度和优异延展性的电镀应用的首选镍盐。在半导体封装中，用于MEMS电铸成形、凸点下金属化（UBM）和磁性驱动器制造。其低应力沉积层对于高深宽比LIGA微结构至关重要。
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半导体级硝酸（HNO3 69%）
CAS: 7697-37-2
半导体级硝酸（69%）用于硅刻蚀化学品、金属表面氧化及晶圆清洗工艺。与HF混合形成标准硅刻蚀液（HNA：HF/HNO3/HAc），用于各向同性硅刻蚀。超纯配方符合SEMI C1标准，痕量金属含量低于1 ppb。
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三氟化氮腔室清洁气体（NF3）
CAS: 7783-54-2
三氟化氮（NF3）是CVD和ALD反应器远程等离子体腔室清洁的首选气体，由于其优越的全球变暖潜势（GWP）特性和更高的利用效率，逐步替代C2F6和CF4。NF3等离子体产生活性F自由基，高效去除CVD腔室壁上的硅基沉积物（SiO2、Si3N4、a-Si），无需晶圆暴露，大幅减少腔室停机时间。
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八氟环丁烷介质刻蚀气体（c-C4F8）
CAS: 115-25-3
八氟环丁烷（c-C4F8）是氟碳气体，用作先进半导体图形化中高选择性氧化物和氮化物等离子体刻蚀的主要介质刻蚀化学品。其高C:F比在等离子体中产生聚合物前驱体，钝化侧壁和硅表面，提供出色的SiO2/Si选择性。也用作Bosch DRIE硅刻蚀循环中的钝化气体。
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氯化钯电镀活化液（PdCl2）
CAS: 13138-48-2
氯化钯（PdCl2）溶液用作非导电基板无电镀的活化催化剂，以及无电镀镍或铜沉积前的表面敏化处理。在半导体封装中，可实现介质表面的选择性金属沉积，用于PCB通孔、晶圆级封装和先进基板制造。
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半导体级磷酸（H3PO4 85%）
CAS: 7664-38-2
半导体级磷酸（85%）是氮化硅（Si3N4）湿法刻蚀的标准刻蚀剂，对二氧化硅和硅具有高选择性。加热至160–180°C时，可以50–100 Å/min的速率选择性刻蚀Si3N4，是STI和LOCOS工艺集成的关键化学品，超高纯度可最大限度减少颗粒和金属污染。
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食人鱼溶液硫酸-双氧水混合液（SPM）
食人鱼溶液（SPM：硫酸/双氧水混合液，通常H2SO4:H2O2 = 3:1至7:1体积比）是一种强氧化清洗液，用于去除硅晶圆表面的重度有机污染、光刻胶残留和金属颗粒。放热混合反应生成过一硫酸（卡罗酸），能强力氧化有机物。可用于批量和单片晶圆SPM清洗设备。
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正性光刻胶显影液CD-26（TMAH 2.38%）
CAS: 75-59-2
CD-26光刻胶显影液是精确配制的2.38%四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液，是正性酚醛树脂和化学放大光刻胶的工业标准显影液。无金属离子化学品消除碱金属污染，精确的TMAH浓度提供可预测、可重复的显影对比度和CD控制。
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正性酚醛树脂光刻胶（g线/i线）
酚醛树脂正性光刻胶是半导体图形化中g线（436nm）和i线（365nm）UV曝光的经典光刻材料。由酚醛树脂和重氮萘醌（DNQ）光活性化合物溶于PGMEA/PGME溶剂组成，提供优异的0.35 µm分辨率、高刻蚀阻抗，与标准TMAH显影液兼容。广泛用于MEMS、显示器和传统CMOS工艺。
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氢氧化钾硅各向异性刻蚀液（KOH）
CAS: 1310-58-3
氢氧化钾（KOH）水溶液是MEMS制造中经典的各向异性硅刻蚀剂，在晶面间具有极高选择性。典型浓度20–40 wt%，70–80°C时提供良好控制的刻蚀速率，{100}/{111}选择比超过100:1，是非CMOS MEMS器件的首选刻蚀剂（碱金属污染可接受场合）。
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丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）
CAS: 108-65-6
PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）是193nm和EUV光刻工艺先进光刻胶配方中最主要的光刻胶溶剂。其最优挥发速率、对树脂的优异溶解性和低毒性，使其成为正性和负性光刻胶的工业标准成膜溶剂。超纯半导体级最大限度减少缺陷并确保膜层均匀性。
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RCA SC-1清洗试剂（NH4OH/H2O2/H2O）
RCA SC-1（标准清洗1，APM：氨-双氧水混合液）是即用型或分组件供应的清洗体系，采用NH4OH:H2O2:H2O（1:1:5至1:2:10体积比），在65–80°C下去除硅晶圆表面颗粒和轻度有机污染。轻微氧化刻蚀成分使颗粒脱落，H2O2氧化有机物，清洗后颗粒水平可达0.1个/cm2以下。
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SU-8环氧负性光刻胶
SU-8是化学放大环氧基负性光刻胶，能够制造非常厚（1–500 µm）、高深宽比（>20:1）且侧壁近垂直的微结构。广泛用于MEMS制造、微流控和先进封装，SU-8在UV或近UV曝光后交联，形成化学和机械性能强固的永久或牺牲结构，适用于苛刻应用。
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硅烷（单硅烷）CVD前驱体（SiH4）
CAS: 7803-62-5
单硅烷（SiH4）是用于沉积多晶硅栅极、外延硅、PECVD氮化硅（与NH3）、PECVD氧化硅（与N2O/O2）和非晶硅薄膜的基础硅CVD前驱体，也是钨CVD（WF6/SiH4）和半导体行业硅基介质沉积工艺的成核前驱体。
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硅酸盐旋涂玻璃（SOG硅酸盐平坦化）
硅酸盐旋涂玻璃（SOG）是基于醇溶剂中硅正硅酸酯前驱体的无机可旋涂介质材料。旋涂后在400–450°C固化，形成致密SiO2薄膜，用于BEOL工艺中金属线间隙填充平坦化。硅酸盐SOG对高深宽比空间具有优异的间隙填充能力，但在较厚应用中需要刻蚀减薄以避免开裂。
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硅氧烷旋涂玻璃（硅氧烷SOG介质）
硅氧烷旋涂玻璃（SOG）在SiO2网络中引入甲基或苯基硅氧烷基团，与纯硅酸盐SOG相比提供更低的介电常数（k = 2.7–3.5）和更低的吸湿性。有机Si-CH3基团降低薄膜脆性，允许更厚涂层而不开裂，使硅氧烷SOG适用于先进互连工艺中的低k ILD应用。
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六氟化硫硅等离子体刻蚀气体（SF6）
CAS: 2551-62-4
六氟化硫（SF6）是高氟含量气体，广泛用作硅等离子体刻蚀工艺的主要刻蚀剂，包括MEMS深反应离子刻蚀（DRIE）、硅沟槽刻蚀和多晶硅栅极图形化。在Bosch DRIE工艺中，SF6与C4F8钝化循环交替，以垂直侧壁实现超深高深宽比硅沟槽。
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半导体级硫酸（H2SO4 96%）
CAS: 7664-93-9
半导体级硫酸（96%）是SPM（硫酸/双氧水混合液，食人鱼清洗）的主要成分，用于去除晶圆表面有机光刻胶及污染物。超高纯度确保关键清洗步骤中不引入金属杂质，也用于铜大马士革工艺的电镀槽液。
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正硅酸四乙酯（TEOS）CVD前驱体
CAS: 78-10-4
正硅酸四乙酯（TEOS，Si(OC2H5)4）是半导体制造中CVD二氧化硅沉积的主流前驱体。基于TEOS的PECVD和SACVD工艺在300–750°C下沉积具有优异台阶覆盖和保形性的高质量SiO2薄膜。TEOS氧化物在CMOS前段和后段工艺中用作ILD、STI衬垫、侧墙和硬掩膜。
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四甲基氢氧化铵（TMAH 25%）
CAS: 75-59-2
四甲基氢氧化铵（TMAH，25%水溶液）是一种无金属离子的碱性刻蚀剂，能沿晶面各向异性刻蚀硅，在{100}和{111}晶面间具有高选择性，广泛用于MEMS微加工制造薄膜、悬臂梁和微结构。作为KOH的CMOS兼容替代品，TMAH不会引入碱金属污染。
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四氯化钛CVD/ALD前驱体（TiCl4）
CAS: 7550-45-0
四氯化钛（TiCl4）是CVD和ALD沉积含钛薄膜（包括TiN扩散阻挡层、TiO2高k介质和TiSi2接触硅化物）的主要前驱体。TiCl4与NH3或N2/H2等离子体的ALD工艺在3D NAND和DRAM电容器结构中生成保形TiN阻挡层。高蒸气压和热稳定性使其适合高产量半导体制造。
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三甲基甲硅烷基二乙胺（TMSDEA）硅烷化试剂
CAS: 996-50-9
三甲基甲硅烷基二乙胺（TMSDEA）是半导体光刻中用于改性光刻胶表面化学性质和增强附着力的硅烷化试剂。作为硅烷化光刻胶工艺（如DESIRE工艺）的表面处理剂，将光刻胶表面的OH基转化为OSi(CH3)3基，提高刻蚀选择比。也用于ALD表面官能化和低k介质表面修复。
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