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Acetona Grado Semiconductor (Remoción de Fotorresina)

CAS: 67-64-1

La acetona de grado semiconductor es un solvente cetónico ultrapuro utilizado para disolver y remover fotorresinas, limpiar residuos orgánicos de superficies de obleas y desprender patrones lift-off en procesos de MEMS y semiconductores compuestos. Su rápida tasa de evaporación y su fuerte poder solvente la hacen efectiva para la remoción rápida de fotorresinas antes de las secuencias de grabado húmedo.

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Precursor ALD de Cloruro de Aluminio (AlCl3)

CAS: 7446-70-0

El cloruro de aluminio anhidro (AlCl3) se utiliza como precursor de ALD (depósito por capa atómica) para depositar películas delgadas dieléctricas high-k de Al2O3 y películas que contienen aluminio en dispositivos semiconductores. En los procesos ALD, las exposiciones alternadas de AlCl3 y agua (u ozono) producen películas conformes de Al2O3 con control de espesor a nivel de monocapa, esenciales para dieléctricos de compuerta, dieléctricos de condensadores y capas de encapsulamiento.

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Amoníaco Grado Semiconductor (NH3 para CVD de Nitruros)

CAS: 7664-41-7

El amoníaco grado semiconductor (NH3) es la fuente de nitrógeno para el depósito por CVD y ALD de películas delgadas de nitruro de silicio (Si3N4), nitruro de titanio (TiN), nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de galio (GaN). En procesos LPCVD y PECVD con DCS o silano, el NH3 produce películas de nitruro conformes esenciales para detenedores de grabado, barreras de difusión y capas de pasivación en toda la fabricación de circuitos integrados.

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Fluoruro de Amonio Grado Semiconductor (NH4F 40%)

CAS: 12125-01-8

El fluoruro de amonio grado semiconductor (solución acuosa al 40%) es un componente clave en las formulaciones de grabado tamponado de óxido (BOE) y en la química de grabado de nitruro de silicio. Su calidad ultra pura asegura una contaminación metálica mínima en las superficies de las obleas. También se utiliza como tampón de pH y fuente de fluoruro en diversos baños de procesos húmedos.

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Hidróxido de Amonio Grado Semiconductor (NH4OH SC-1)

CAS: 1336-21-6

El hidróxido de amonio grado semiconductor (28–30% de NH3) es un componente clave de la solución de limpieza RCA SC-1 (NH4OH/H2O2/H2O) utilizada para la eliminación de partículas y contaminación orgánica de obleas de silicio. También realiza un ligero grabado de óxido de silicio para socavar y desprender partículas. Su calidad ultra pura previene la introducción de contaminación metálica durante la limpieza crítica previa al óxido de compuerta.

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Gas Argón para Sputtering (Ar Ultra Puro)

CAS: 7440-37-1

El argón (Ar) ultra puro es el principal gas de sputtering y portador en los procesos de deposición física de vapor (PVD), grabado por haz de iones y grabado por plasma en la fabricación de semiconductores. Los iones de argón se aceleran para bombardear blancos metálicos y dieléctricos en la deposición de películas delgadas (Al, Cu, Ti, TiN, TaN) o para realizar fresado iónico con Ar en la definición de patrones en dispositivos III-V y magnéticos.

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Recubrimiento Antirreflectante Inferior (BARC)

El recubrimiento antirreflectante inferior (BARC) es una capa orgánica o inorgánica aplicada por centrifugación bajo la fotorresina para suprimir las ondas estacionarias y el muescado reflectivo causados por la reflectividad del sustrato durante la litografía UV y DUV. Al ajustar el espesor de la película y el índice de refracción (n, k), el BARC minimiza la luz reflejada en la interfaz resina/sustrato, mejorando la uniformidad de la CD, la resolución y la profundidad de foco en la fabricación de gran volumen.

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Grabador de Óxido Tamponado (BOE) NH4F/HF

CAS: 7664-39-3

El Grabador de Óxido Tamponado (BOE) es una mezcla de fluoruro de amonio (NH4F) y ácido fluorhídrico (HF) que proporciona una velocidad de grabado estable y controlada para el dióxido de silicio. El tampón de fluoruro de amonio mantiene un pH constante y repone los iones fluoruro, lo que da lugar a velocidades de grabado de óxido más uniformes y reproducibles en comparación con el HF puro. Se utiliza ampliamente en procesos de fabricación de MEMS, CMOS y displays.

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Suspensión de Ceria para CMP (Abrasivo de CeO2)

CAS: 1306-38-3

La suspensión de ceria (óxido de cerio, CeO2) para CMP ofrece tasas de remoción de óxido ultra altas y una eficiencia de planarización excepcional para procesos de STI e ILD. Los abrasivos de ceria son químicamente reactivos con SiO2 mediante enlaces Ce-O-Si, lo que permite mayores tasas de remoción a menor fuerza descendente en comparación con las suspensiones de sílice. Su alta selectividad sobre el nitruro de silicio convierte a la ceria en el abrasivo preferido para CMP de STI en nodos lógicos avanzados.

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Acondicionador de Pad CMP con Punta de Diamante

Los acondicionadores de pad CMP utilizan abrasivos de diamante electrodepositados o soldados sobre un disco de acero inoxidable para acondicionar y retexturizar continuamente los pads de pulido CMP durante la planarización de obleas. El acondicionamiento regular elimina las superficies vidriadas del pad y restaura la estructura de microasperidades necesaria para un transporte de slurry y una tasa de remoción consistentes. Esencial para mantener la uniformidad en la tasa de remoción de pad a pad y de oblea a oblea.

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Suspensión de Sílice para CMP (SiO2 Pirogénica/Coloidal)

CAS: 7631-86-9

La suspensión de sílice para CMP contiene partículas abrasivas de dióxido de silicio pirogénico o coloidal altamente dispersas en un medio acuoso, utilizada para la planarización químico-mecánica de óxido de silicio (ILD), aislamiento por trincheras superficiales (STI) y capas de polisilicio. La combinación de abrasión mecánica y disolución química del óxido logra la planaridad global requerida para la fabricación de interconexiones metálicas multinivel.

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Gas de Grabado por Plasma Tetrafluoruro de Carbono (CF4)

CAS: 75-73-0

El tetrafluoruro de carbono (CF4) es un gas versátil de grabado por plasma utilizado para grabar óxido de silicio, nitruro de silicio y silicio en procesos de grabado en seco. Cuando se combina con oxígeno, graba SiO2 con alta selectividad; solo o con H2, se utiliza para grabado anisotrópico de silicio y nitruro. El CF4 también sirve como gas de limpieza de cámara y se utiliza en limpiezas remotas por plasma para reactores CVD.

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Sulfato de Cobre para Electrodeposición Damascena (CuSO4)

CAS: 7758-98-7

El sulfato de cobre pentahidratado de grado semiconductor (CuSO4·5H2O) es la principal fuente de iones de cobre en baños ácidos de electrodeposición para la fabricación de interconexiones de cobre damascenas y dual-damascenas. Utilizado en combinación con ácido sulfúrico, iones cloruro y aditivos orgánicos (acelerador, supresor, nivelador), permite el superllenado (rellenado de abajo hacia arriba) de vías y trincheras de alta relación de aspecto en procesos BEOL avanzados.

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Diclorosilano Precursor CVD (DCS, SiH2Cl2)

CAS: 4109-96-0

El diclorosilano (DCS, SiH2Cl2) es un precursor CVD ampliamente utilizado para depositar películas de alta calidad de nitruro de silicio (Si3N4), oxinitruro de silicio (SiON) y polisilicio en procesos LPCVD. La química DCS/NH3 a 750–800°C produce películas estequiométricas de Si3N4 con excelente uniformidad y propiedades eléctricas para espaciadores de compuerta, capas de detención de grabado y capas de almacenamiento de carga en memorias DRAM y flash.

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Dimetilsulfóxido Grado Semiconductor (DMSO)

CAS: 67-68-5

El dimetilsulfóxido (DMSO) grado semiconductor es un disolvente aprótico polar utilizado en formulaciones de desprendimiento de fotorresinas, especialmente como codisolvente con aminas para mejorar la eliminación de residuos poliméricos post-grabado y post-cenizado. Su alta polaridad y baja toxicidad en comparación con la NMP lo convierten en un disolvente cada vez más preferido en químicas de limpieza BEOL para nodos avanzados.

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Polímero de Fotorresist EUV de Luz Ultravioleta Extrema

El fotorresist EUV es un polímero de resist químicamente amplificado o con contenido metálico, optimizado para litografía de luz ultravioleta extrema (EUV) a 13.5 nm en la definición de patrones de dispositivos lógicos y de memoria sub-7 nm. Estos resists avanzados deben equilibrar los requisitos contrapuestos de sensibilidad, resolución y rugosidad del borde de línea (LWR/LER). Los resists EUV de óxido metálico (base Sn o base Hf) ofrecen mayor absorción de EUV y mejor resolución en comparación con las plataformas CAR orgánicas.

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Disolvente Removedor de Cordón de Borde (EBR) para Borde de Oblea

El removedor de cordón de borde (EBR) es una mezcla de disolventes formulada con precisión, utilizada para disolver y eliminar el cordón de fotorresina que se acumula en el borde de la oblea durante el recubrimiento por centrifugación. El EBR se dispensa en el borde frontal (EBR frontal) o en el borde posterior (EBR posterior) de la oblea en rotación inmediatamente después del recubrimiento con resina, evitando la contaminación por cordón de borde de los equipos de manipulación de obleas y mandriles durante las etapas posteriores de litografía.

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Níquel Químico Hipofosfito de Sodio (NaH2PO2)

CAS: 7681-53-0

El hipofosfito de sodio monohidratado (NaH2PO2·H2O) es el agente reductor en los baños de niquelado químico (EN), que permite la deposición autocatalítica de la aleación níquel-fósforo sin corriente externa. En el encapsulado de semiconductores, los acabados superficiales ENIG (Níquel Químico Oro por Inmersión) y ENEPIG dependen de baños EN basados en hipofosfito de sodio para proporcionar superficies soldables, aptas para wire bonding y resistentes a la corrosión en PCB y sustratos.

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Éter Monobutílico de Etilenglicol (EGBE) Solvente para Revelador

CAS: 111-76-2

El éter monobutílico de etilenglicol grado semiconductor (EGBE, también conocido como butil cellosolve) se utiliza como cosolvente en formulaciones de revelador de fotorresistente y como agente de limpieza para equipos y accesorios. Su velocidad de evaporación moderada y compatibilidad con reveladores alcalinos acuosos lo hacen útil para optimizar la propagación y uniformidad del revelador en superficies de obleas.

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Solución de Galvanoplastia de Cianuro de Oro (KAu(CN)2)

CAS: 13967-50-5

El cianuro de oro y potasio (KAu(CN)2) es la principal sal de oro utilizada en baños de galvanoplastia de oro para semiconductores, para el recubrimiento de almohadillas de wire bonding, acabado de contactos de conectores y metalización de dispositivos optoelectrónicos. Su complejo cianurado estable proporciona depósitos de oro lisos y brillantes con excelente compatibilidad de wire bonding y resistencia a la corrosión. Se utiliza tanto en formulaciones de baño ácido como de pH neutro.

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Hexametildisilazano (HMDS) Promotor de Adhesión

CAS: 999-97-3

El hexametildisilazano (HMDS) es el promotor de adhesión universal para fotorresistas utilizado en litografía de semiconductores. Aplicado mediante imprimación por vapor (vapor prime) o spin-coat antes del recubrimiento del fotorresista, el HMDS reacciona con los grupos OH superficiales para formar una monocapa hidrofóbica de trimetilsililo (TMS), mejorando drásticamente la adhesión del fotorresista sobre superficies de óxido y nitruro y previniendo la delaminación del patrón durante el revelado.

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Ácido Clorhídrico Grado Semiconductor (HCl 37%)

CAS: 7647-01-0

El ácido clorhídrico grado semiconductor (37%) es un químico crítico en la limpieza RCA SC-2 para la eliminación de iones metálicos y el ataque químico de óxidos. Forma complejos con metales pesados y los elimina de las superficies de obleas, y se utiliza en mezclas HCl/H2O2/H2O (SC-2) para eliminar metales alcalinos y la contaminación por metales pesados antes de las etapas en hornos de oxidación.

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Ácido Fluorhídrico Grado Semiconductor (HF 49%)

CAS: 7664-39-3

El ácido fluorhídrico grado semiconductor (49% HF) es una solución acuosa ultra pura utilizada para el ataque químico de óxido de silicio, la eliminación del óxido nativo y la limpieza de superficies de obleas. Cumple con las especificaciones de pureza SEMI C1 o SEMI C8 con impurezas metálicas a niveles sub-ppb. Crítico para los procesos de ataque químico en húmedo del front-end-of-line (FEOL) en la fabricación de circuitos integrados.

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Peróxido de Hidrógeno Grado Semiconductor (H2O2 30%)

CAS: 7722-84-1

El peróxido de hidrógeno grado semiconductor (30%) es un agente oxidante esencial utilizado en los procesos de limpieza de obleas RCA SC-1 y SC-2 para eliminar la contaminación orgánica e iónica. Cuando se mezcla con hidróxido de amonio (SC-1) elimina partículas y materia orgánica; con HCl (SC-2) disuelve iones metálicos. También es un componente clave de la limpieza piraña SPM.