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Isopropanol Grado Semiconductor (IPA Ultra-Puro)

CAS: 67-63-0

El isopropanol (IPA) grado semiconductor es un solvente ultra-puro utilizado para el secado de obleas (secado Marangoni), la dilución de fotorresinas, la limpieza de superficies de equipos y como solvente de enjuague final en procesos de bancos húmedos. Su bajo contenido de agua y sus niveles de impurezas metálicas por debajo del ppb lo hacen apto para aplicaciones críticas de limpieza de semiconductores tanto en etapas iniciales como finales.

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N-Metil-2-Pirrolidona Grado Semiconductor (NMP)

CAS: 872-50-4

La N-Metil-2-Pirrolidona (NMP) de grado semiconductor es un solvente aprótico polar de alto punto de ebullición ampliamente utilizado como removedor de fotorresistentes y eliminador de residuos en procesos de extremo posterior de línea (BEOL). Su excelente capacidad de disolución para resinas entrecruzadas y su baja presión de vapor lo hacen ideal para equipos de limpieza por centrifugación de oblea individual y baños de remoción por inmersión. El grado de ultrapureza garantiza la ausencia de contaminación metálica en las capas de interconexión.

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Solución de Galvanoplastia de Sulfonato de Níquel

CAS: 13770-89-3

El sulfonato de níquel (Ni(SO3NH2)2) es la sal de níquel preferida para aplicaciones de galvanoplastia que requieren bajo estrés interno, alta dureza del depósito y excelente ductilidad. En el empaquetado de semiconductores, se utiliza para electroformado MEMS, metalización bajo contacto (UBM) y fabricación de actuadores magnéticos. Sus depósitos de bajo estrés son críticos para microestructuras LIGA de alta relación de aspecto.

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Ácido Nítrico Grado Semiconductor (HNO3 69%)

CAS: 7697-37-2

El ácido nítrico grado semiconductor (69%) se utiliza en química de grabado de silicio, oxidación de superficies metálicas y procesos de limpieza de obleas. En combinación con HF, forma la mezcla estándar de grabado de silicio (HNA: HF/HNO3/HAc) para grabado isótropo de silicio. Su formulación ultrapura cumple con los estándares SEMI C1 con contenido de metales traza inferior a 1 ppb.

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Gas de Limpieza de Cámara de Trifluoruro de Nitrógeno (NF3)

CAS: 7783-54-2

El trifluoruro de nitrógeno (NF3) es el gas de limpieza de cámara por plasma remoto preferido para reactores CVD y ALD, sustituyendo al C2F6 y CF4 debido a su superior perfil de potencial de calentamiento global (GWP) y mayor eficiencia de utilización. El plasma de NF3 genera radicales F reactivos que eliminan eficientemente los depósitos basados en silicio (SiO2, Si3N4, a-Si) de las paredes de la cámara CVD sin requerir exposición de la oblea, reduciendo drásticamente el tiempo de inactividad de la cámara.

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Gas de Grabado Dieléctrico de Octafluorociclobutano (c-C4F8)

CAS: 115-25-3

El octafluorociclobutano (c-C4F8) es un gas fluorocarbonado utilizado como química de grabado dieléctrico primaria para el grabado por plasma de óxido y nitruro de alta selectividad en la estructuración avanzada de semiconductores. Su alta relación C:F genera precursores formadores de polímero en el plasma que pasivan las paredes laterales y las superficies de silicio, proporcionando una selectividad excepcional SiO2/Si. También se utiliza como gas de pasivación en los ciclos de grabado DRIE Bosch de silicio.

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Activación de Recubrimiento con Cloruro de Paladio (PdCl2)

CAS: 13138-48-2

La solución de cloruro de paladio (PdCl2) se utiliza como catalizador de activación para el recubrimiento autocatalítico sobre sustratos no conductores y para sensibilizar superficies previo a la deposición autocatalítica de níquel o cobre. En el empaquetado de semiconductores, permite la deposición selectiva de metal sobre superficies dieléctricas para vías de PCB, empaquetado a nivel de oblea y fabricación de sustratos avanzados.

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Ácido Fosfórico Grado Semiconductor (H3PO4 85%)

CAS: 7664-38-2

El ácido fosfórico grado semiconductor (85%) es el agente de ataque húmedo estándar para nitruro de silicio (Si3N4) con alta selectividad sobre el dióxido de silicio y el silicio. Cuando se calienta a 160–180°C, ataca selectivamente el Si3N4 a velocidades de 50–100 Å/min, lo que lo hace esencial para la integración de procesos STI y LOCOS. La calidad ultrapura minimiza la contaminación por partículas y metales.

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Solución Piranha - Mezcla de Peróxido Sulfúrico (SPM)

La solución piranha (SPM: mezcla de ácido sulfúrico/peróxido de hidrógeno, típicamente H2SO4:H2O2 = 3:1 a 7:1 v/v) es una solución de limpieza altamente oxidante utilizada para eliminar contaminación orgánica severa, residuos de fotorresistencia y partículas metálicas de las superficies de obleas de silicio. La mezcla exotérmica genera ácido peroxomonosulfúrico (ácido de Caro), que oxida agresivamente la materia orgánica. Se utiliza tanto en herramientas SPM de proceso por lotes como de oblea individual.

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Revelador de Fotorresistencia Positiva CD-26 (TMAH 2.38%)

CAS: 75-59-2

El revelador de fotorresistencia CD-26 es una solución acuosa de hidróxido de tetrametilamonio (TMAH) al 2.38% con formulación de precisión, que constituye el revelador estándar de la industria para fotorresistencias de tono positivo tipo novolac y amplificadas químicamente. La química libre de iones metálicos elimina la contaminación por metales alcalinos, y la concentración precisa de TMAH proporciona un contraste de revelado predecible, reproducible y un control de CD consistente.

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Fotorresist Positivo Novolac (línea g / línea i)

Los fotorresists positivos a base de novolac son el material de litografía clásico para exposición UV de línea g (436 nm) y línea i (365 nm) en la definición de patrones semiconductores. Compuestos por resina novolac y compuesto fotoactivo de diazanaftoquinona (DNQ) en disolvente PGMEA/PGME, ofrecen excelente resolución hasta 0.35 µm, alta resistencia al ataque y compatibilidad con reveladores estándar de TMAH. Ampliamente utilizados en procesos MEMS, de pantallas y CMOS heredados.

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Solución de Hidróxido de Potasio para Grabado Anisótropo de Silicio (KOH)

CAS: 1310-58-3

La solución acuosa de hidróxido de potasio (KOH) es el agente de grabado anisótropo de silicio clásico utilizado en la fabricación de MEMS, que ofrece una selectividad extremadamente alta entre planos cristalográficos. Las concentraciones típicas de 20–40% en peso a 70–80°C proporcionan velocidades de grabado bien controladas con una excelente selectividad {100}/{111} superior a 100:1. El KOH es el agente de grabado preferido para dispositivos MEMS no-CMOS donde la contaminación por metales alcalinos es aceptable.

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Acetato de Propilenglicol Monometil Éter (PGMEA)

CAS: 108-65-6

El PGMEA (acetato de propilenglicol monometil éter) es el solvente dominante para fotorresistentes utilizado en procesos avanzados de litografía para formulaciones de resina fotosensible a 193 nm y EUV. Su velocidad de evaporación óptima, excelente poder de disolución de resinas y baja toxicidad lo convierten en el solvente de colado estándar de la industria para resinas positivas y negativas. El grado ultra-puro para semiconductores minimiza los defectos y garantiza una uniformidad de película consistente.

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Reactivo de Limpieza RCA SC-1 (NH4OH/H2O2/H2O)

El RCA SC-1 (Limpieza Estándar 1, APM: Mezcla de Amoniaco y Peróxido) es un sistema de limpieza listo para usar o suministrado por componentes que emplea NH4OH:H2O2:H2O (1:1:5 a 1:2:10 v/v) a 65–80°C para eliminar partículas y contaminación orgánica ligera de superficies de obleas de silicio. El componente de ataque suave al óxido desprende las partículas mientras el H2O2 oxida la materia orgánica, logrando niveles de partículas inferiores a 0.1 recuentos/cm² tras la limpieza.

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Fotorresist Negativo Epoxi SU-8

El SU-8 es un fotorresist de tono negativo, químicamente amplificado y de base epoxi, capaz de producir microestructuras muy gruesas (1–500 µm) y de alta relación de aspecto (>20:1) con paredes laterales casi verticales. Ampliamente adoptado para la fabricación de MEMS, microfluídica y empaquetado avanzado, el SU-8 se retícula con exposición UV o UV cercano para formar una estructura permanente o de sacrificio química y mecánicamente robusta, adecuada para aplicaciones exigentes.

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Silano (Monosilano) Precursor CVD (SiH4)

CAS: 7803-62-5

El monosilano (SiH4) es el precursor fundamental de CVD de silicio utilizado para depositar puertas de polisilicio, silicio epitaxial, nitruro de silicio PECVD (con NH3), óxido de silicio PECVD (con N2O/O2) y películas delgadas de silicio amorfo. También es el precursor de nucleación para CVD de tungsteno (WF6/SiH4) y procesos de deposición de dieléctricos a base de silicio en toda la industria de semiconductores.

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Vidrio de Recubrimiento Centrifugado Silicato (Planarización SOG Silicato)

El vidrio de recubrimiento centrifugado (SOG) de silicato es un material dieléctrico inorgánico aplicable por centrifugación basado en precursores de ortosilicato de silicio en un solvente alcohólico. Tras el recubrimiento por centrifugación y el curado a 400–450°C, forma una película densa de SiO2 para la planarización por relleno de huecos entre líneas metálicas en procesos BEOL. El SOG de silicato proporciona excelente capacidad de relleno de huecos para espacios de alta relación de aspecto, pero requiere retrograbado para evitar el agrietamiento en aplicaciones de gran espesor.

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Vidrio de Recubrimiento Centrifugado Siloxano (Dieléctrico SOG Siloxano)

El vidrio de recubrimiento centrifugado (SOG) de siloxano incorpora grupos de metil- o fenilsiloxano en la red de SiO2, proporcionando una constante dieléctrica más baja (k = 2,7–3,5) y menor absorción de humedad en comparación con el SOG de silicato puro. Los grupos orgánicos Si-CH3 reducen la fragilidad de la película y permiten recubrimientos más gruesos sin agrietamiento, lo que hace que el SOG de siloxano sea adecuado para aplicaciones ILD de baja k en procesos de interconexión avanzados.

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Hexafluoruro de Azufre para Grabado de Silicio por Plasma (SF6)

CAS: 2551-62-4

El hexafluoruro de azufre (SF6) es un gas de alto contenido en flúor ampliamente utilizado como agente de grabado principal en procesos de grabado de silicio por plasma, incluido el grabado profundo por iones reactivos (DRIE) para MEMS, el grabado de trincheras de silicio y el perfilado de puertas de polisilicio. En el proceso Bosch DRIE, el SF6 alterna con ciclos de pasivación con C4F8 para lograr trincheras de silicio ultraprofundas de alta relación de aspecto con paredes laterales verticales.

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Ácido Sulfúrico Grado Semiconductor (H2SO4 96%)

CAS: 7664-93-9

El ácido sulfúrico grado semiconductor (96%) es un reactivo químico primario utilizado en la limpieza SPM (mezcla de ácido sulfúrico/peróxido de hidrógeno, piranha) para eliminar fotorresistentes orgánicos y contaminantes de la superficie de obleas. Su altísima pureza garantiza la no introducción de impurezas metálicas durante las etapas críticas de limpieza. También se utiliza en baños de electrodeposición para procesos de cobre damasceno.

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Tetraetil Ortosilicato (TEOS) Precursor CVD

CAS: 78-10-4

El tetraetil ortosilicato (TEOS, Si(OC2H5)4) es el precursor dominante para la deposición de dióxido de silicio por CVD en la fabricación de semiconductores. Los procesos PECVD y SACVD basados en TEOS depositan películas de SiO2 de alta calidad con excelente cobertura escalonada y conformidad a temperaturas de 300–750°C. El óxido TEOS se utiliza como ILD, revestimiento de zanja STI, espaciador y máscara dura en los procesos de front-end y back-end de CMOS.

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Hidróxido de Tetrametilamonio (TMAH 25%)

CAS: 75-59-2

El hidróxido de tetrametilamonio (TMAH, 25% acuoso) es un agente de grabado alcalino libre de iones metálicos que graba anisotrópicamente el silicio a lo largo de planos cristalinos, proporcionando alta selectividad entre los planos {100} y {111}. Es ampliamente utilizado en el micromaquinado de MEMS para la fabricación de membranas, micropalancas y microestructuras. Como alternativa compatible con CMOS al KOH, el TMAH no introduce contaminación por metales alcalinos.

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Tetracloruro de Titanio Precursor CVD/ALD (TiCl4)

CAS: 7550-45-0

El tetracloruro de titanio (TiCl4) es el precursor principal para la deposición CVD y ALD de películas delgadas que contienen titanio, incluyendo barreras de difusión TiN, dieléctricos de alta constante dieléctrica TiO2 y siliciuro de contacto TiSi2. El ALD de TiCl4 con NH3 o plasma de N2/H2 produce capas de barrera de TiN conformales en estructuras de capacitores de 3D NAND y DRAM. Su alta presión de vapor y estabilidad térmica lo hacen ideal para la fabricación de semiconductores de alto rendimiento.

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Dietilamino Trimetilsilano (TMSDEA) Agente de Sililación

CAS: 996-50-9

El dietilamino trimetilsilano (TMSDEA) es un reactivo de sililación utilizado en litografía de semiconductores para modificar la química superficial de fotorresistencias y mejorar la adhesión. Como agente de tratamiento superficial para procesos de fotorresistencia sililada (p. ej., proceso DESIRE), convierte los grupos OH de las superficies de fotorresistencia en grupos OSi(CH3)3, mejorando la selectividad de grabado. También se emplea en la funcionalización de superficies ALD y en la reparación de superficies dieléctricas de baja constante k.